参考电压生成电路的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 参考电压生成电路的制作方法 参考电压生成电路1.相关申请的交错引用2.本技术要求于2020年3月31日向韩国学问产权局提交的申请号为10-2020-0038832的韩国申请的优先权，其通过引用整体并入本文。技术领域3.各个实施例通常涉及一种半导体电路，并且更特殊地，涉及一种参考电压生成电路。背景技术：4.半导体电路必需用法参考电压以便处理各种信号并供给电力。5.在例如诸如动态随机存取存储器(dram)的易失性存储器、诸如nand闪存的非易失性存储器或用于控制存储器的存储器控制器的半导体电路中，无论外部电压变幻如何或/和温度变幻如何都需要恒定地保持参考电压电平，以提高包含半导体电路的产品的操作性能牢靠性。技术实现要素：6.各个实施例涉及一种能够生成稳定电平的参考电压的参考电压生成电路。7.在实施例中，一种参考电压生成电路可以包括：第一参考电流路径，通过第一节点和第一晶体管形成；其次参考电流路径，通过其次节点和其次晶体管形成；第一反馈回路，被配置为将第一电流反馈到第一参考电流路径和其次参考电流路径，使得第一节点和其次节点的电压电平保持相同；以及其次反馈回路，被配置为按照其次电流控制流过第一晶体管和其次晶体管的电流。8.在实施例中，一种参考电压生成电路可以包括：参考电路，被配置为生成第一内部电压、其次内部电压和预参考电压，通过按照第一电流和其次电流补偿由温度变幻和电压变幻中的起码一个引起的偏移来将第一内部电压、其次内部电压和预参考电压中的每一个控制为目标值；放大器电路，被配置为放大第一内部电压和其次内部电压之间的电压差，并输出放大信号；以及电流控制电路，被配置为按照放大信号控制第一电流和其次电流。9.在实施例中，一种参考电压生成电路可以包括：参考电路，被配置为生成第一内部电压、其次内部电压和预参考电压，通过按照第一电流和其次电流补偿由温度变幻和电压变幻中的起码一个引起的偏移来将第一内部电压、其次内部电压和预参考电压中的每一个控制为目标值，其中第一电流和其次电流中的每一个具有第一特性，并且第三电流具有第一特性但具有与第一电流和其次电流中的任一个不同的电流变幻率；放大器电路，被配置为放大第一内部电压和其次内部电压之间的电压差，并输出放大信号；以及电流控制电路，被配置为按照放大信号控制第一电流和其次电流。附图解释10.图1是示出按照实施例的参考电压生成电路的配置的示图。11.图2是示出诸1的放大器电路的配置的示图。12.图3是示出诸1的电压控制电路的配置的示图。13.图4是示出按照实施例的参考电压生成电路的配置的示图。详细实施方式14.在下文中，参照附图更具体地描述本藏匿的各个实施例。在囫囵解释书中，对“实施例”、“另一实施例”等的参考不一定仅针对一个实施例，并且对任何这种短语的不同参考不一定针对相同的实施例。15.图1是示出按照实施例的参考电压生成电路100的配置的示图。16.参照图1，参考电压生成电路100可以包括参考电路110、放大器电路130、电流控制电路150和电压控制电路170。17.参考电压生成电路100可以进一步包括偏置电路190。18.参考电路110可以生成第一内部电压vint1、其次内部电压vint2和预参考电压bgout，通过按照第一电流ictat1和其次电流ictat2补偿由温度变幻和电压变幻引起的偏移来控制生成第一内部电压vint1、其次内部电压vint2和预参考电压bgout中的每一个并将第一内部电压vint1、其次内部电压vint2和预参考电压bgout中的每一个保持在目标值。19.参考电路110可以包括第一至第四电阻器111、112、115和116以及第一晶体管113和其次晶体管114。20.第一电阻器111可以具有联接到电流控制电路150并且被配置为接收第一电流ictat1的一端和联接到第一节点a1的另一端。21.第一内部电压vint1可以被施加到第一节点a1。22.其次电阻器112可以具有联接到电流控制电路150并且被配置为接收第一电流ictat1的一端和联接到其次节点a11的另一端。23.第一电阻器111和其次电阻器112可以被设计为具有相同的电阻值。24.其次内部电压vint2可以被施加到其次节点a11。25.第一晶体管113和其次晶体管114中的每一个可以被配置为双极结型晶体管(bjt)。26.第一晶体管113可以具有联接到第一节点a1的集电极和联接到第三节点a2的基极。27.第三电流iptat1流过通过第一电阻器111、第一节点a1以及第一晶体管113的集电极形成的电流路径，该电流路径可以称为第一参考电流路径。28.预参考电压可以被施加到第三节点a2。29.其次晶体管11