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PAGE PAGE 1 参考电压训练电路以及包括其的半导体设备的制作方法 参考电压训练电路以及包括其的半导体设备1.相关申请的交错引用2.本申请要求于2019年9月26日向韩国学问产权局提交的申请号为10-2019-0118822韩国申请的优先权，该韩国申请通过引用整体并入本文。技术领域3.各个实施例通常涉及半导体电路，并且更特殊地，涉及一种参考电压训练电路(training circuit)以及包括该参考电压训练电路的半导体设备。背景技术：4.第一半导体设备可以通过通道与其次半导体设备交换数据。5.在第一半导体设备和其次半导体设备之中，一个可以是半导体存储器，另一个可以是存储器控制器。6.第一半导体设备可以生成用于数据传输的参考信号，例如，数据选通信号，并且将参考信号与数据传输到其次半导体设备。7.通过通道传输的数据可以包含由各种因素引起的噪声，例如，通道损耗、偏斜、串扰和isi(符号间干扰)。技术实现要素：8.各个实施例针对一种能够提高数据接收性能的参考电压训练电路以及包括该参考电压训练电路的半导体设备。9.在实施例中，一种参考电压训练电路可以包括：正常缓冲器(normal buffer)，被配置成通过基于差分信号的一个差分信号接收差分信号的另一个差分信号来生成第一接收信号；校准信号生成电路，被配置成通过按照参考电压接收差分信号的另一个差分信号来生成其次接收信号，并且通过将其次接收信号的相位与第一接收信号的相位举行比较来生成参考电压校准信号；以及参考电压生成电路，被配置成按照参考电压校准信号来校准参考电压的电平。10.在实施例中，一种半导体设备可以包括：差分信号接收电路，被配置成按照差分信号和参考电压来生成参考电压校准信号；数据接收电路，被配置成按照参考电压来接收从外部半导体设备传输的数据；以及参考电压生成电路，被配置成按照参考电压校准信号来校准参考电压的电平。附图解释11.图1是示出按照实施例的半导体系统的配置的示图。12.图2是示出按照实施例的参考电压训练电路的配置的示图。13.图3是示出诸2的校准信号生成电路的操作的时序图。14.图4是示出诸2的参考电压生成电路的配置的示图。15.图5是示出按照实施例的参考电压训练办法的时序图。详细实施方式16.在下文中，参照附图，通过各个实施例描述按照本藏匿的参考电压训练电路以及包括参考电压训练电路的半导体设备。在囫囵解释书中，对“实施例”或其它类似表述的参考不一定仅针对一个实施例，并且对任何这种短语的不同参考不一定针对相同的实施例。17.图1是示出按照实施例的半导体系统的配置的示图。18.参照图1，半导体系统1可以包括第一半导体设备2和其次半导体设备3。19.例如，半导体系统可以包括ssd(固态驱动器)。20.在第一半导体设备2和其次半导体设备3之中，一个可以是半导体存储器，另一个可以是存储器控制器。21.例如，假设第一半导体设备2是存储器控制器，其次半导体设备3是半导体存储器。在读取操作期间，其次半导体设备3可以通过各自的通道将数据dq以及可以用作数据接收时序的参考信号的差分数据选通信号dqs_c和dqs_t传输到第一半导体设备2。22.第一半导体设备2可以按照差分数据选通信号dqs_c和dqs_t接收数据dq，并且可以按照参考电压vref确定所接收的数据dq的规律值。23.第一半导体设备2可以包括差分信号接收电路11、数据接收电路12和参考电压生成电路13。24.差分信号接收电路11可以通过通道从其次半导体设备3接收差分信号，例如，差分数据选通信号dqs_c和dqs_t。25.差分信号接收电路11可以按照差分数据选通信号dqs_c和dqs_t以及参考电压vref来生成参考电压校准信号up/dn。26.差分信号接收电路11可以基于差分数据选通信号dqs_c和dqs_t的另一个差分数据选通信号(例如，dqs_t)来接收差分数据选通信号的任一个差分数据选通信号(例如，dqs_c)作为第一接收信号，以及基于参考电压vref来接收另一个差分数据选通信号(例如，dqs_t)作为其次接收信号，并且通过将第一接收信号的相位与其次接收信号的相位举行比较来生成参考电压校准信号up/dn。27.数据接收电路12可以按照参考电压vref通过通道接收从其次半导体设备3传输的数据dq。28.参考电压生成电路13可以按照参考电压校准信号up/dn来校准参考电压vref的电平。29.参考电压生成电路13可以按照参考电压校准信号up来提高参考电压vref的电平。30.参考电压生成电路13可以按照参考电压校准信号dn来降低参考电压vref的电平。31.其次半导体设备3可以包括差分信号接收电路21、数据接收电