半导体光电材料.pptxVIP

1 复习 平坦化技术 光刻 刻蚀。 2，IC制造工艺中几大关键技术？ 第1页/共49页 第一页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 2 半导体光电材料 半导体光电材料的发展 半导体激光器材料 新型半导体光电探测器材料 光电子集成电路及光子集成电路材料 第2页/共49页 第二页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 3 半导体光电材料是一门发展极为迅速的边缘学科，同时也是一门实践性很强的应用学科。半导体光电材料是光电信息技术的重要基础和组成部分。 通过了解当今材料科学和工程的新概念、新理论、新技术、新工艺，把握材料科学与工程的前沿及最新动向。 材料类型主要包半导体光电功能材料、低维功能材料（薄膜、异质结构、超晶格）。 半导体光电材料 第3页/共49页 第三页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 4 半导体光电材料 了解半导体激光器的理论基础 光电子集成电路的基本知识 重点： 半导体光电材料 基本要求 第4页/共49页 第四页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 5 1 半导体光电材料的发展 光电材料是由光的基本粒子—光子—扮演主要角色的材料。 发光二极管（LED） 激光（LD） 光探测器 太阳能电池 将电能转化为光能 将光能转化为电能 半导体器件物理 第5页/共49页 第五页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 6 半导体光电子学的产生可以追述到19世纪，那个时候人们就发现了半导体中的光吸收和光电导现象。 上个世纪60年代得到飞速发展，这主要归因于半导体激光器（LD）的出现。1962年第一台半导体激光器诞生，是由美国GE公司的霍尔(Hall)研制成的。 这一时期的半导体激光器的特点是：同质结材料，激光器的阈值电流密度特别高，只能在液氮温度（77k）或更低的温度下状态脉冲工作，没有任何实用价值。 1 半导体光电材料的发展 第6页/共49页 第六页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 7 世界上第一只半导体激光器是1962 年问世的同质结型激光器。 在同一种材料上制作的pn结二极管。在正向大电流注人下，电子不断地向p区注人，空穴不断地向n区注入。于是，在原来的pn结耗尽区内实现了载流子分布的反转。由于电子的迁移速度比空穴的迁移速度快，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在一定的条件下发生激光，这是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器。 1 半导体光电材料的发展 材料禁带的宽度就决定了光电器件的工作波长。 第7页/共49页 第七页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 8 1969年发明单异质结构激光器。 两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs, GaAlAs所组成。 1970年，实现了激光波长为9000A，室温连续工作的双异质结GaA(砷化稼一稼铝砷)激光器。 双异质结激光器电流密度大大降低，实现了室温下连续工作，就在同一时间低损耗光纤研制成功。 1978年出现了世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，它大幅度地提高了半导体激光器的各种性能。 1 半导体光电材料的发展 第8页/共49页 第八页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 9 光纤通信的发展对半导体光电子技术提出了越来越高的要求，因而促进了半导体光电子学的进一步发展. 近三十年是半导体光电子学发展最快的一个时期，现在它已经发展成为一门独立的学科，半导体光电子技术是当今各国广泛关注的高科技领域。 1 半导体光电材料的发展 第9页/共49页 第九页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 10 半导体激光器：因其体积小、耗电少、寿命长，应用领域十分广。 VCD(780nm)、CD-ROM、DVD(635nm,650nm)中读取数据； 激光打印、计算机直接印刷； 医疗中切割，内窥镜光源； 工业中打孔、焊接、切割； 光纤通信中光发射机的核心，泵浦源，中继器; 军事上：测距、红外夜视，激光雷达，激光制导，激光打靶。 1 半导体光电材料的发展/器件及其应用 第10页/共49页 第十页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 11 1 半导体光电材料的发展/器件及其应用 第11页/共49页 第十一页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 12 发光二极管（LED-Light Emitting Diode）。 低电压、低功耗、高亮度、寿命远比白炽灯长，响应速度快。 可见光的用作家电、仪器设备的指示灯，七段数字显示、图形显示、交通指示灯、汽车尾灯，室外大型显示（三色全了）。 不可见光的用在遥控器、光通信、传感器中。 1 半导体光电材料的发展/器件及其应用 第12页/共49页 第十二页，编辑于星期日：十二点 四十一分。 13 半导体光探测器：光电成像，自动控制，辐射测量，弱信号探测，军事上，跟踪、制导、侦察、遥感。 太阳能电池：耗电低的产品，如万用表、时钟、电子计算机（