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《自动测试与检测技术》
课内实验
指
导
书
六安职业技术学院信息工程系
应用电子技术教研室
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目 录
实验一 K型热电偶测温实验
实验二 气敏传感器实验
实验三 光敏电阻特性实验
实验四 霍尔测速实验
实验五 金属箔式应变片――全桥性能实验
实验六 电容式传感器的位移特性实验
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实验一 K型热电偶测温实验
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实验二 气敏传感器实验
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实验三 光敏电阻特性实验
一、实验目的:
了解光敏电阻传感器原理及应用。
二、实验仪器:
稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、各种光源、遮光罩、激光器
三、实验原理:
光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。
四、实验步骤
测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻
观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻R。移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光电阻越大,则灵敏度越高。在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能分析。
光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流
按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。
分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。
SKIPIF 1 0 图(2)几种光敏电阻的光谱特性
3、光敏电阻的光谱特性:
用不同的材料制成的光敏电阻有着不同的光谱特性,见图(2)光敏电阻的光谱特性曲线。当不同波长的入射光照到光敏电阻的光敏面上,光敏电阻就有不同的灵敏度。
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按照图(3)接线,电源电压可采用直流稳压电源的负电源。用高亮度LED(红、黄、绿、蓝、白)作为光源,其工作电源可选用直流稳压电源的正电源。发光管的接线可参照图(15)。限流电阻用选配单元上的1K~100K档电位器,首先应置电位器阻值为最大,打开电源后缓慢调小阻值,使发光管逐步发光并至最亮,当发光管达到最高亮度时不应再减小限流电阻阻值,确定限流电阻阻值后不再改变。依次将各发光管接入光电器件模板上的发光管插座,发光管与光敏电阻顶端可用附件中的黑色软管连接。分别测出光敏电阻在各种光源照射下的光电流,记录两种光电阻的光谱特性:红__黄__绿__蓝__白。
伏安特性:
光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。
按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。
温度特性:
光敏电阻与其他半导体器件一样,性能受温度影响较大.随着温度的升高电阻值增大,灵敏度下降。请按图(3)测试电路,分别测出常温下和加温(可用电烙铁靠近加温或用电吹风加温,电烙铁切不可直接接触器件)后的伏安特性曲线。
光敏电阻的光电特性:
在一定的电压作用下,光敏电阻的光电流与照射光通量的关系为图(4)所示。 SKIPIF 1 0
图(4)光敏电阻的光电特性
图(3)的实验电路电源可选用+12V稳压电源,适当串入一选配单元上的可变电阻,阻值在10K左右。发光LED接直流稳压电源的2~10V电压档,调节电路使发光管刚好发光,将发光管与光敏电阻顶端相连接,盖上遮光罩,测得光电流I光,然后依次将发光管工作电压提高为4V,6V,8V,10V,测得光电流。
或:置于暗光条件下,打开高亮度光源灯光,调节光源与光敏电阻的距离和照射角度,改变光敏电阻上入射光的光通量,观察光电流的变化。
三:注意事项:
实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV
光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。
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实验四 霍尔测速实验
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实验五 金属箔式应变片――全桥性能实验
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实验六 电容式传感器的位移特性实验
注:合同范本有风险,使用
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