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IGBT 驱动电路 作者： 北京交通大学电气工程学院 彭智刚 金新民 童亦斌 梁京哲 战亮宇 时间：2007-03-02 来 源 : 电子产品世界 浏览评论 关键词： 0702_A HCPL-316J IGBT 保护 电源技术 模拟技术 驱动电路 杂志 _ 技术长廊 摘要 ： 本文在分析了 IGBT 驱动条件的基础上介绍了几种常见的 IGBT 驱动电路 ，设计 了一种基于光耦 HCPL-316J 的 IGBT 驱动电路 。实验证明该电路具有良好的驱动及保护能 力。 关键词 ： 驱动电路 ；IGBT 保护 ； HCPL-316J 引言 绝缘门极双极型晶体管 (Isolated Gate Bipolar Transistor 简称 IGBT) 是复合了功率 场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件， 具有输入阻抗高、 工作速度 快、热稳定性好 驱动电路 简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点，因此现今应 用相当广泛。但是 IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极 驱动电路 设计上的不合理，制约 着 IGBT 的推广及应用。因此本文分析了 IGBT 对其栅极 驱动电路 的要求，设计一种可 靠，稳定的 IGBT 驱动电路 。 IGBT 驱动电路 特性及可靠性分析 门极驱动条件 IGBT 的门极驱动条件密切地关系到他的静态和动态特性。 门极电路的正偏压 uGS 、负 偏压 -uGS 和门极电阻 RG 的大小，对 IGBT 的通态电压、开关、开关损耗、承受短路 能力及 du/dt 电流等参数有不同程度的影响。其中门极正电压 uGS 的变化对 IGBT 的 开通特性，负载短路能力和 duGS/dt 电流有较大的影响，而门极负偏压对关断特性的 影响较大。同时，门极电路设计中也必须注意开通特性，负载短路能力和由 duGS/dt 电流引起的误触发等问题。 根据上述分析，对 IGBT 驱动电路 提出以下要求和条件： (1) 由于是容性输出输出阻抗；因此 IBGT 对门极电荷集聚很敏感， 驱动电路 必须可靠， 要保证有一条低阻抗的放电回路。 (2) 用低内阻的驱动源对门极电容充放电，以保证门及控制电压 uGS 有足够陡峭的前、 后沿，使 IGBT 的开关损耗尽量小。另外， IGBT 开通后，门极驱动源应提供足够的功 率，使 IGBT 不至退出饱和而损坏。 (3) 门极电路中的正偏压应为 +12 ～+15V ；负偏压应为 -2V ～-10V 。 (4)IGBT 驱动电路 中的电阻 RG 对工作性能有较大的影响， RG 较大，有利于抑制 IGBT 的电流上升率及电压上升率， 但会增加 IGBT 的开关时间和开关损耗； RG 较小， 会引 起电流上升率增大， 使 IGBT 误导通或损坏。 RG 的具体数据与 驱动电路 的结构及 IGBT 的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的 IGBT 其 RG 值较大。 (5) 驱动电路 应具有较强的抗干扰能力及对 IGBT 的自保护功能。 IGBT 的控制、 驱动及 保护电路等应与其高速开关特性相匹配，另外，在未采取适当的防静电措施情况下， IGBT 的 G ～ E 极之间不能为开路。 驱动电路 分类 驱动电路 分为：分立插脚式元件的 驱动电