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光刻基本操作概要介绍;
一、认真核对随工单，检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无，退回上步工序。确定无误后，按照随工单上的要求制作。
二、光刻的主要步骤：
匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查;匀胶：;
注意：在匀胶过程中，如发 生不明原因的报警应
通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个
陪片，方可进行正式片的匀胶;前烘;曝光; ③、上版与对版：
RTLD〉RCHG/N
FILE NAME = C：MK609-
RETICLE NAME = M2
EXECUTE？
;; ④、 曝光操作：
FEXP〉PRNT/IO
。
。
PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_
找到 EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间（见下页“曝光时间确定表”）
HOW MANY WAFERS = _1_
待片子上到载片台后，手动对准标记进行
曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续
进行曝光
;;显影;光刻胶性质;显影后检查;思考题
1、匀正式片之前为什么要泡胶嘴、走陪片？
2、曝光时先曝光一片进行试片，你认为是否
有必要，为什么？
3、光刻后带胶注入的片子为什么要走热盘？
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