第三章 溅射法.pptVIP

第3章 溅射法 2 射频溅射 适用于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法。 （1）射频溅射设备（如图） （2）射频溅射的基本原理 两极间接上射频（5~30MHz，国际上多采用美国联邦通讯委员会（FCC）建议的13.56MHz）电源后，两极间等离子体中不断振荡运动的电子从高频电场中获得足够的能量，并更有效地与气体分子发生碰撞，并使后者电离，产生大量的离子和电子，此时不再需要在高压下（10Pa左右）产生二次电子来维持放电过程，射频溅射可以在低压（ 1Pa左右）下进行，沉积速率也因气体散射少而较二极溅射为高；高频电场可以经由其他阻抗形式耦合进入沉积室，而不必再要求电极一定要是导体；由于射频方法可以在靶材上产生自偏压效应，即在射频电场作用的同时，靶材会自动处于一个较大的负电位下，从而导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射，而在衬底上自偏压效应很小，气体离子对其产生的轰击和溅射可以忽略，将主要是沉积过程。 如何理解射频电场对于靶材的自偏压效应？ 由于电子的运动速度比离子的速度大得多，因而相对于等离子体来说，等离子体近旁的任何部位都处于负电位。 设想一个电极上开始并没有任何电荷积累。在射频电压的驱动下，它既可作为阳极接受电子，又可作为阴极接受离子。在一个正半周期中，电极将接受大量电子，并使其自身带有负电荷。在紧接着的负半周期中，它又将接受少量运动速度较慢的离子，使其所带负电荷被中和一部分。经过这样几个周期后，电极上将带有一定数量的负电荷而对等离子体呈现一定的负电位。（此负电位对电子产生排斥作用，使电极此后接受的正负电荷数目相等） 设等离子电位为Vp（为正值），则接地的真空室（包含衬底）电极（电位为0）对等离子的电位差为-Vp，设靶电极的电位为Vc（是一个负值），则靶电极相对于等离子体的电位差为Vc-Vp。|Vc-Vp|幅值要远大于| -Vp|。因此，这一较大的电位差使靶电极实际上处在一个负偏压之下，它驱使等离子体在加速后撞击靶电极，从而对靶材形成持续的溅射。 工作频率50Hz或60Hz叫工频, 在它以下的叫低频;60Hz至20kHz叫中频;20kHz以上叫高频。 （3）溅射条件： 工作气压1.0Pa，溅射电压1000V，靶电流密度1.0mA/cm2,薄膜沉积速率低于0.5μm/min。 （４）射频溅射法的特点 　　　a、能够产生自偏压效应，达到对靶材的轰击溅射，并沉积在衬底上； 　　　b、自发产生负偏压的过程与所用靶材是否是导体无关。但是，在靶材是金属导体的情况下，电源须经电容耦合至靶材，以隔绝电荷流通的路径，从而形成自偏压； 　　　c、与直流溅射时的情况相比，射频溅射法由于可以将能量直接耦合给等离子体中的电子，因而其工作气压和对应的靶电压较低。 相对于蒸发沉积来说，一般的溅射沉积方法具有的两个缺点： 　a、沉积速率较蒸发法低； 　b、所需工作气压较高，否则电子的平均自由程太长，放电现象不易维持。 　　　从而导致薄膜被污染的可能性较高。磁控溅射法则因为其沉积速率较高（比其他溅射法高出一个数量级），工作气体压力较低而具有独特的优越性。 　　　 ３ 磁控溅射 磁控溅射设备 磁控溅射仪（型号JGP-560） 磁控溅射装置示意图 实验样品 （1）磁控溅射的基本原理 当电子在正交电磁场中运动时，由于受到洛仑兹力的影响，电子的运动将由直线运动变成摆线运动，如图所示。电子将可以被约束在靶材表面附近，延长其在等离子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率。这样，既可以降低溅射过程的气体压力，也可以显著提高溅射效率和沉积速率。 磁控溅射原理 电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛伦兹力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，并在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。 第3章 薄膜的物理气相沉积—溅射法 被溅射出来的原子 E0 , M1, Z1 本专题主要内容： 3.1 溅射物理的发展史 3.2 气体放电现象 3.3 物质的溅射现象 3.4 溅射沉积装置及各种溅射镀膜方法 3.1 溅射物理的发展史 1852年英国物理学家格罗夫（William Robert Grove）发现在气体放电室的器壁上有一层金属沉积物，沉积物的成份与阴极材料的成份完全相同。但当时他并不知道产生这种现象的物理原因 。 1902年，Goldstein 才指出产生这种溅射现象的原因是由于阴极受到电离气体中的离子的轰击而引起