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实 验 整流滤波与稳压电路 电子技术实验 电工电子教学中心 河北工业大学 电气与自动化学院 实验 整流滤波与稳压电路 一、实验目的 五、思考题 四、实验内容与步骤 三、预习要求 二、实验仪器 一、实验目的 返回 1．熟悉单相半波、桥式整流电路。 2．观察了解电容滤波作用。 3．了解并联稳压电路 二、实验仪器 返回 2. 数字万用表 1. 计算表1中的VL ，并画波形。 三、预习要求 返回 2. 估算表２、3的理论值。 1. 示波器 D V2 AC 220V AC 15V RP 330 R 150 VL 图30-1半波整流电路 RL 1. 半波整流，实验电路如图30-1所示。 四、实验内容与步骤 D1 V2 AC 220V AC 15V RP 330 R 150 VL 图30-2 桥式整流电路 D2 D3 D4 RL 2．桥式整流，实验线路如图30-2所示。 注:在桥式电路中，不能同时观察V2 、VL波形 D1 V2 AC 220V AC 15V VL 图30-3 电容滤波电路 D2 D3 D4 C1 10u C2 470u RP 330 R 150 RL 3. 电容滤波电路，如图30-3示。 （1）分别用不同电容接入电路，负载电阻RL先不接，用示波器观察波形，用电压表测量V2 、VL值并记录于表1。 （2）接上RL，重复上述实验并记录。 RP 1K R 150 VL 图30-4并联稳压电路 RL D R 200 IR 6V IL 8V~12V A 4．并联稳压电路，电路如图30-4所示。 （1）电源输入电压不变，负载变化时电路的稳压性能。（表2） IL (mA) VL (V) VR (V) 10 15 20 RP 1K R 150 VL 图30-4并联稳压电路 RL D R 200 IR 6V IL 8V~12V A 4．并联稳压电路，电路如图30-4所示。 （2）负载不变，电压变化时电路的稳压性能。（表3） VI(V) VL(V) VR(V) IL(mA) 8 9 10 11 12 * * 缺陷工程 在硅片的器件有源区形成洁净层 在体内形成高密度缺陷,成为杂质吸除源 缺陷工程 在硅片的器件有源区形成洁净层 在体内形成高密度缺陷,成为杂质吸除源
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