电子技术基础第六章晶闸管.pptVIP

（1）选择额定电流的原则 在规定的室温和冷却条件下，只要所选管子的额定电流有效值大于等于管子在电路中实际可能通过的最大电流有效值 即可。考虑元件的过载能力，实际选择时应有1.5~2倍的安全裕量。计算公式为： 2 普通晶闸管的选择原则 第六章晶闸管 1 概述 2 晶闸管的工作原理 3 几种常用的晶体管 晶闸管 6.1 概述 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代，使半导体器件的应用由弱电领域扩展到强电领域。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代 晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 KP平板型普通可控硅（晶闸管）(200A-5000A) KK平板型快速可控硅（晶闸管)(5A-3000A) MTC普通可控硅模块(水冷/风冷）(25A-1000A) ZP螺旋型普通整流管(5A-500A) KP螺旋型普通晶闸管(5A-500A) 可控硅调压器PAC60A（感性负载） 单相、三相整流桥模块 晶闸管的工作原理 A（阳极） K(阴 极) G（门极） P N P N A K G P N P N K G A（阳极） 单向可控硅的GK结是1个二极管 所以GK之间存在单向导电性 ，且正向电阻几百到几千欧，反向电阻∞ 。 思考：若GK正向电阻为∞，反向电阻仍然为∞，GK之间是否开路了？ P N P N K G 答案：是！ 说明：可控硅损坏。 GA之间为两个PN结反向串联，所以其两端的电阻值为∞。 P N P N A K G AK之间是三个PN结反向串联，其阻值仍然为∞。 思考：若AG之间电阻约为0欧或AK之间电阻仍然约为0欧，是否可以说明AG或AK被击穿了？ 答案：是 说明：可控硅损坏。 P N P N A K G P1 P2 N1 N2 K G A 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 K A T2 T1 + _ P2 N1 N2 IG IA P1 N1 P2 IK G P1 P2 N1 N2 N1 P2 A G K T1 T2 A K G EA 0、EG 0 EG EA + _ R 晶闸管导通的条件 由电源、晶闸管的阳极和阴极、白炽灯组成晶闸管主电路； 由电源、开关S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路（触发电路）。 实验 顺序 实验前 灯的情况 实验时晶闸管条件 实验后 灯的情况 结论 阳极电压UA 门极电压UG 导通实验 1 暗 反向 反向 暗 晶闸管在反向阳极电压作用下，不论门极为何电压，它都处于关断状态。 2 暗 反向 零 暗 3 暗 反向 正向 暗 1 暗 正向 反向 暗 晶闸管在正向阳极电压与正向门极电压的共同作用下，才能导通。 2 暗 正向 零 暗 3 暗 正向 正向 亮 关断实验 1 亮 正向 正向 亮 已导通的晶闸管在正向阳极作用下，门极失去控制作用。 2 亮 正向 零 亮 3 亮 正向 反向 亮 4 亮 正向（逐渐减小到接近于零） 任意 暗 晶闸管在导通状态时，当阳极电压减小到接近于零时，晶闸管关断。 晶闸管正常导通的条件： 1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压，UAK0 2）晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压 和电流， UGK0 晶闸管导通后，控制极便失去作用。依靠正反馈， 晶闸管仍可维持导通状态。 维持晶闸管导通的条件： 保持流过晶闸管的阳极电流在其维持电流以上 晶闸管关断的条件 晶闸管的关断： 只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下，可采用： 阳极电压反向 减小阳极电压 增大回路阻抗 晶闸管伏安特性曲线 正向特性 反向特性 URRM UFRM IG2 IG1 IG0 UBR IF UBO 正向转折电压 IH o U I IG0 IG1 IG2 + _ + _ 反向转折电压 正向平均电流 维持电流 ?U 正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，