电子技术基础--第一章--半导体二极管及其基本电路.pptVIP

（一）用二极管直流模型来分析电路 例1 求电路的ID和UD ，已知R=10K 在两种情况下计算: （1） UDD =10V （2） UDD =1V 解: 二极管使用直流理想模型 （1）UDD=10V 时 首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止； 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 因为只有直流电压源作用，所以使用直流模型。 （硅二极管典型值） 2）二极管使用直流恒压降模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流恒压降模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 设 二极管使用直流折线模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流折线模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 二极管使用直流理想模型理想模型 （2）VDD=1V 时 首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 2）二极管使用直流恒压降模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流恒压降模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 设 二极管使用直流折线模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流折线模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 VDD=10V 时 VDD=1V 时 二极管使用直流理想模型理想模型 2）二极管使用直流恒压降模型 VDD=10V 时 VDD=1V 时 （硅二极管典型值） （硅二极管典型值） 二极管使用直流折线模型 VDD=10V 时 VDD=1V 时 当电源电压远大于二极管管压降的情况下，恒压降模型就可以取得比较合理的结果 当电源电压较低时，就必须使用折线模型才可以取得比较合理的结果 理想模型计算最简单，但是误差最大 本题目中，二极管当作开关来使用， 即在所有时间内均导通 （二） PN结加反向电压时的导电情况 外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。 动态平衡被打破。 扩散电流小于漂移电流。 漂移电流本身就很小，因为是少子形成的。 ＰＮ结变宽。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏； 内 外 PN结呈现高阻性 电压的真实方向 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的电流，真实方向为P指向N。 PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的电流，真实方向为N指向P。 线性电阻具有双向导电性 PN结具有单向导电性线性电阻具有双向导电性 真实方向 三、PN结的伏安特性曲线 PN结电压电流参考方向的规定 UT=26mV 其中 Is ? 饱和电流; UT = kT/q ?等效电压 k ? 波尔兹曼常数； T=300k（室温）时 UT= 26mv 由半导体物理可推出： ? 当加反向电压时： ? 当加正向电压时： (uDUT) PN结电流方程 四、PN结的反向击穿 反向击穿 PN结上所加的反向电压达到某一数值时，反向电流激增的现象 雪崩击穿 当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形成连锁反应，象雪崩一样，使反向电流激增。 齐纳击穿 当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电子拉出来，形成大量载流子,使反向电流激增。 击穿是可逆。 击穿是可逆。 （不可逆击穿） — 热击穿 PN结的电流或电压较大，使PN结耗散