电子技术第7章-半导体.pptVIP

7.4 稳压二极管 伏安特性 稳压管是一种特殊的面接触型二极管。它在电路中常用作稳定电压的作用，故称为稳压管。 稳压管的图形符号： U(V) 0.4 0 0.8 -8 -4 I (mA) 20 40 10 -20 -10 30 -12 反向 正向 稳压管的伏安特性曲线与普通二极管类似，只是反向曲线更陡一些。 7.4.1 伏安特性 U(V) 0.4 0 0.8 -8 -4 I (mA) 20 40 10 -20 -10 30 -12 反向 正向 稳压管工作于反向击穿区，常见电路如下。 U i R U o R L 在电路中稳压管是反向联接的。 当U i大于稳压管的击穿电压时，稳压管被击穿（可逆），电流将增大，电阻R两端的电压增大，在一定的电流范围内稳压管两端的电压基本不变，输出电压U o等于U z 。 1、稳定电压Uz 指稳压管正常工作时的端电压。 同一型号稳压管UZ也不一定相等。 2、稳定电流IZ 正常工作的参考电流值。 每种型号稳压管都规定有一个最大稳定电流IZM，超过它，易发生热击穿（不可逆），稳压管损毁,IZIZM。 U(V) 0 I (mA) 反向 正向 UZ IZ 7.4.1 主要参数 3、电压温度系数 ?U 说明稳压值受温度影响的参数。 如：稳压管2CW18的电压温度系数为0.095% / ?C 假如在20 ?C时的稳压值为11V，当温度升高到50 ?C时的稳压值将为 特别说明：稳压管的电压温度系数有正负之别。 因此选用6V左右的稳压管，具有较好的温度稳定性。 7.4.1 主要参数 4、动态电阻rZ 稳压管子端电压和通过其电流的变化量之比。稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压效果越好。 U(V) 0 I (mA) 反向 正向 UZ IZ IZm ?IZ ?UZ 5、最大允许耗散功耗PZM 保证稳压管不发生热击穿的最大功率损耗。 其值为稳定电压和允许的最大电流乘积 7.4.1 主要参数 如图，通过稳压管的电流IZ等于多少？ 解： UR=18-10=8V IZ=IR=8/1.6=5mA18mA 因IZ=18mA I1=50-18=32mA R1=？ R1=UZ/I1=10/32=0.3125k? +18V IZ R=1.6k? Uz=10V IZM=18mA + DZ - IR 例 由于IZIZM，所以限流电阻R阻值合适 若R阻值缩小十倍，IZ=? IZ=IR=8/0.16=50mA18mA 此时需对稳压管并联R1=？ 7.5 双极型晶体管7.5.1 基本结构 半导体三极管(晶体管)是最重要的一种半导体器件。广泛应用于各种电子电路中。 晶体管最常见的结构有平面型和合金型两种。平面型都是硅管、合金型主要是锗管。它们都具有NPN或PNP的三层两结的结构，因而又有NPN和PNP两类晶体管。 其三层分别称为发射区、基区和集电区，并引出发射极(E)、基极(B)和集电极(C)三个电极。三层之间的两个PN结分别称为发射结和集电结。 * 第5章 半导体器件 第7章 半导体器件 《电子技术》 主讲 刘琼 武科大信息学院 janetliuqiong@163.com 主讲 刘琼 武科大信息学院 janetliuqiong163 第7章 半导体器件 7.2 PN结及其单向导电特性 7.3 半导体二极管 7.4 稳压二极管 7.1 半导体的导电特性 7.5 双极型晶体管 第7章 半导体器件 要点 P型和N型半导体特点： 多子，少子，参入几价元素 2. PN结单向导电性：如何导通及截止 3. 二极管的符号；死区电压与导通压降区别；多个二极管导通原则 4. 稳压管的符号；稳压管正反向导通区别 5. 三极管的分类及极间电位；电流放大公式；三极管输出特性的三个分区及PN结状态 7.1 半导体的导电特性 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料 常见半导体材料有硅、锗、硒及金属的氧化物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。 半导体材料的特性： 纯净半导体的导电能力很差； 温度升高——导电能力增强（如钴、锰、镍的氧化物做成的热敏电阻）； 光照增强——导电能力增强（如镉、铅等硫化物做成的光敏电阻）； 掺入少量杂质——导电能力增强。 本征半导体 完全纯净、具有晶体结构的半导体 最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。 它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为 4 。 + + Si Ge 共价键 本征半导体 在本征半导体的晶体结构中，每个原子与相邻的四个原子结合。 每个原子的一个外层价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对，电子对由相邻两原子共有，构成共价键结构。 共价键价电子 共价键 价电子 自