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泓域咨询/安徽关于成立碳化硅公司可行性报告
安徽关于成立碳化硅公司
可行性报告
xx投资管理公司
报告说明
轻载时，SiC低导通损耗对续航提升更加明显。使用SiC技术的MOSFET在开关过程中表现出比使用Si技术更高的效率。低Rdson的优势是SiCMOSFET半导体在800V逆变器应用的主要原因。较宽的带隙和较低的表面电阻上较高的击穿电压，允许以较高的压摆率切换高电压，以上这些都是SiC的材料优势。由于更低的Rdson，开关损耗较低，可以应用较高的开关频率，特别是在轻载时，低导通损耗有对工况效率提升更加明显。
xx投资管理公司主要由xx集团有限公司和xx有限公司共同出资成立。其中
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