前驱体专家纪要202205v2.pdf

前驱体专家会 嘉宾：外资气体厂商前驱体专家 时间：202205 纪要仅代表专家个人观点，涉及上市公司数据请以公告为准 前驱体学术层面上的定义是获得目前产物前的一种形式，通常以有机/无机配合物或者混合物固 定形式存在，但在半导体行业，每个公司对前驱体的理解都各有不同，比如液空公司对前驱体的 定义是ALAM （airliquide advanced materials），默克公司对前驱体的定义是ADM （advanced deposition materials），两家公司都强调了advanced ，即先进材料，根据专家个人理解，在一些落后制程上使 用的材料，即使是用于CVD 的或液体化形式的，都不一定算作前驱体。比如部分本土的公司将 TEOS 也认为是前驱体，但国际公司一般不将其视为前驱体，因为该材料晶圆厂已经使用了 20 多年了。前驱体大多数以液体形式存在，一般是不锈钢桶包装，通过液体的VCR 阀送到客户端。 半导体芯片的工艺流程一般是利用晶圆（wafer ）切割出2000-3000 个晶粒（die），之后对晶粒进 行封装，之后进行布线和放置器件及晶体管，最后形成一个CPU 或内存结构。这是非常精密的 过程，以苹果的Iphone 12 的CPU 为例，一个CPU 器件就含有150 亿个晶体管，这个过程很复 杂，且未来会越来越复杂。 晶圆的加工顺序是研磨、光刻、薄膜、刻蚀、离子注入（implant ）、抛光，加工过程中会反复进 行上述过程，前驱体在芯片生产过程中主要用在薄膜区（thin film ）。 在ALD 工艺出现之前，薄膜工艺主要有PVD 和CVD ： PVD ，物理气相沉积，即通过物理方式处理靶材，利用蒸发溅射去镀膜，因为本身是物理反应， 所以台阶覆盖性一般，这种工艺的优点在于反应温度低，且无杂质，反应速度快，均匀性50A 。 CVD ，化学气相沉积，工艺的台阶覆盖性要优于PVD ，但其缺点是反应温度较高（800 摄氏度以 上），速度相对PVD 稍慢，因为是化学反应，因此杂质相对PVD 更多。均匀性1-10A。 ALD ，原子层沉积，表面层状生长，台阶覆盖性优秀，均匀性小于1A ，反应温度低，一般在室 温-400 摄氏度下进行，产生的杂质少，但反应速度慢。 随着现代工艺的进步，半导体制程越来越先进，线宽越来越小，除了考虑台阶覆盖性外，还要考 虑反应温度的问题，随着线宽变窄，每个晶圆的热预算（heat budget ）就会变得非常低，因此要 求材料要在越来越低的温度下进行反应，这也是不能使用硅烷材料的原因（反应温度高，过于稳 定），而部分有机配位材料的反应温度很低，材料就发生了从无机到有机的演变。 1) 金属有机系列（除硅外的金属有机物），种类比较多，如high-k （高介电常数），conductive barrier ， Metal layers 等，conducive barrier 与high-k 相对应，high-k 一般使用氧化铪，氧化锆等类型的 膜，conductive barrier 一般是氮化铪，氮化钛，氮化锆。Metal layer 主要用于后端布线方面， 随着线宽变窄，选择的金属也越来越多，目前在14nm 以下的制程中，钨是主要使用的金属， 未来可能会选择铷、钼等金属，但目前还在研发过程中。ALD 系列使用的元器件等与LED 使用的比较类似，只是用途不同，个人认为过去做LED 产品的工厂在ALD 系列上存在一 些天然的优势。 ALD 系列种类多，但每种产品用量小，单价高，增长速度快。此外，High-k 是一个非常好 的产品系列，以后会被普遍使用，增长会很快。 2) 硅系列，主要种类有spacer （光刻阻挡层，如HCDS, 乙硅烷等）和low-k （low-k 主要用于 金属布线时做阻挡层，如二乙基甲基硅烷）。 客户端使用的设备是LDS （liquid delivery system），前驱体的储存罐（canister）就接在设备的product tank 上，canister 连接有两个管道，分别是气相端和液相端，气相端通过push