微电子工艺2011试卷张建国答案.pdfVIP

学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学2010 - 2011 学年第 二 学期期 末 考试 B 卷 课程名称：微电子工艺 考试形式： 开卷 考试日期： 20 年 月 日考试时长：120 分钟 课程成绩构成：平时 10 %， 期中 %， 实验 %， 期末 90 % 本试卷试题由 三 部分构成，共 4 页。 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 得分 得 分 一、简答题（共72分，共 12题，每题6 分） 1、名词解释：集成电路、芯片的关键尺寸以及摩尔定律 集成电路：多个电子元件，如电阻、电容、二极管和三极管等集成在基片上形成的具有确定芯片功 能的电路。 关键尺寸：硅片上的最小特征尺寸 摩尔定律：每隔12个月到18个月，芯片上集成的晶体管数目增加一倍，性能增加一倍 2、MOS器件中使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？请分别给出原因。 MOS：100 Si/SiO 界面态密度低；双极：111 生长快，成本低 2 3、倒掺杂工艺中，为形成p阱和n阱一般分别注入什么离子？为什么一般形成P阱所需的离子注入能 量远小于形成n阱所需的离子注入能量？ PMOS管一般做在p阱还是n阱中？ P阱：注B；N阱：注P。B离子远比P离子要轻，所以同样注入深度，注P所需能量低 PMOS管做在n阱中 4、解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，为什么LPCVD 淀积的薄膜比APCVD淀积的薄膜更均匀？ 质量输运限制CVD：反应速率不能超过传输到硅片表面的反应气体的传输速率。 反应速度限制CVD：淀积速度受到硅片表面反应速度的限制，依赖于温度。 LPCVD 工作于低压下，反应气体分子具有更大的平均自由程，反应器内的气流条件不重要，只要控 制好温度就可以大面积均匀成膜。 第 1 页 共 6 页 学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 5、解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？ 多晶硅栅工艺优点： 1、通过掺杂得到特定电阻 2、和二氧化硅更优良的界面特性 3、后续高温工艺兼容性 4、更高的可靠性 5、在陡峭的结构上的淀积均匀性 6、能实现自对准工艺 6、现在制约芯片运算速度的主要因素在于RC延迟，如何减少RC延迟？ 办法：1、采用电导率更高的互连金属，如Cu取代A 2、采用低K质介质取代SiO 作为层间介质 2 7、列出引入铜金属化的五大优点，并说明铜金属化面临的三大问题，如何解决这些问题？ 优点：1、电阻率减少，RC延迟减少 2、减少功耗 3、更高的集成密度 4、良好的抗电迁移特性 5、更少的工艺步骤 问题：1、铜的高扩散系数，有可能进入有源区产生漏电 2、不能采用干法刻蚀 3、低温下很快氧化 办法：采用大马士革工艺、增加铜阻挡层金属 8、解释什么是硅栅自对准工艺，怎么实现以及有何优势。 提供稳定的金属半导体接触结构、减小源和漏区接触电阻以及栅极和源极以及漏极的寄生交叠电容 的工艺。 实现过程：侧墙形成—过渡金属（如Ti）PVD淀积—低温RTP—氨水和双氧水混合液湿法化学腐蚀— 高温RTP。 主要优点在于避免光刻的对准误差。 9、化学放大如何在光刻胶中实现？为什么要对化学放大深紫外光