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- 2022-06-28 发布于安徽
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中国第三代半导体产业现状,国内与国外半导体行业的差距一览
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中国第三代半导体产业现状
因为制造设备、制造工艺和成本的劣势,多年以来,我国第三代半导体材料依旧只是在小范围内应用,无法挑战硅基半导体的统治地位。
当前,碳化硅衬底技术相对来说是比较简单的,国内已经实现了4英寸量产,除此之外,6英寸的研发也已经完成了,但是氮化镓(GaN)制备技术依旧还是有待提升,当前,国内企业已经可以小批量的生产2英寸衬底,且具备了4英寸衬底的生产能力,并且还开发出了6英寸样品。
国内与国外半导体行业的差距
1、中国以硅为代表的第一代半导体材料和国际一线水平差距最大
(1)生产设备方面,基本上所有的晶圆代工厂都会用到美国公司的设备,2019年全球前5名芯片设备生产商3家来自美国;而中国的北方华创、中微半导体、上海微电子等中国优秀的芯片公司只是在刻蚀设备、清洗设备、光刻机等部分细分领域实现突破,设备领域的国产化率还不到20%。
(2)生产代工方面,2019年台积电市场占有率高达52%,韩国三星占了18%左右,中国最优秀的芯片制造公司中芯国际只占5%,并且在制程上前面两个相差30年的差距。
(3)应用材料方面,美国已连续多年位列第一,我国的高端光刻胶几乎依赖进口,全球5大硅晶圆的供应商占据了高达92.8%的产能,美国、日本、韩国的公司具有垄断地位。
2、第二代半导体材料
(1)砷化镓晶圆
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