基于LSTM-DHMM的MOSFET器件健康状态识别与故障时间预测.docx

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1 引言 半导体器件作为现代电子设备的关键零部件,被广泛应用于军工、通信、自动化和航空等领域,其健康状况直接影响着设备的运行性能和运行精度.传统的依照可靠性手册对半导体器件进行评估鉴定,是基于“正常”和“失效”的二元判定,已经不能满足当前发展对寿命评估的要求,开展半导体器件的故障预测和健康管理(Prognostic and Health Management, PHM)研究、建立产品使用寿命与故障机理之间的关系是十分必要的. 国内外主要从故障诊断[1,2]、状态评估[3~5]和寿命预测[6~9]三个方面开展PHM技术研究,取得了较好的成果.考虑到现有研究方法主要集中于对单一监测变量进行分析,且

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