第八章半导体器件.ppt

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3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 第29页,共64页,编辑于2022年,星期一 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比: 显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 第30页,共64页,编辑于2022年,星期一 5. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容:为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的少子(电子)在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。同理,在N区有空穴的积累。正向电流大,积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N 第31页,共64页,编辑于2022年,星期一 CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时,由于载流子数目很少,扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路: 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 第32页,共64页,编辑于2022年,星期一 二极管:死区电压=0 .5V,正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例1:二极管半波整流 第33页,共64页,编辑于2022年,星期一 二极管的应用举例2: t t t ui uR uo R RL ui uR uo 第34页,共64页,编辑于2022年,星期一 1.3.1 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡,电压越稳定。 + - UZ 动态电阻: rz越小,稳压性能越好。 §1.3 特殊二极管 第35页,共64页,编辑于2022年,星期一 (4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 (5)最大允许功耗 稳压二极管的参数: (1)稳定电压 UZ (2)电压温度系数?U(%/℃) 稳压值受温度变化影响的的系数。 (3)动态电阻 第36页,共64页,编辑于2022年,星期一 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时,负载电压基本不变。 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解:令输入电压达到上限时,流过稳压管的电流为Izmax 。 求:电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 第37页,共64页,编辑于2022年,星期一 令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2,可解得: 第38页,共64页,编辑于2022年,星期一 1.3.2 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 第39页,共64页,编辑于2022年,星期一 1.3.3 发光二极管 有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。 第40页,共64页,编辑于2022年,星期一 1.4.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 §1.4 半导体三极管 第41页,共64页,编辑于2022年,星期一 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区:较薄,掺杂浓度低 集电区:面积较大 发射区:掺 杂浓度较高 第42页,共64页,编辑于2022年,星期一 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 第43页,共64页,编辑于2022年,星期一 1.4.2 电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。 发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。 第44页,共64页,编辑于2022年,星期一 B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。 第45页,共

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