2022年存储器行业市场现状及发展趋势分析.docx

2022年存储器行业市场现状及发展趋势分析 1、利基 DRAM 主要产品，全球市场超 70 亿美金 1.1 DDR3 隶属利基 DRAM，十五年发展历经辉煌与没落 存储是半导体第二大细分品类，周期波动性最强，历史成长性最好。 1）市场规模：2021/2020/2019 年全球存储市场规模为 1534/1175/1064 亿美金，占半导体规模的比例为 28%/27%/26%，是全球第二大细分品类。 2）周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动 性远大于其他细分品类。 3）成长性：2002-2021 年、2011-2021 年、2016-2021 年存储 CAGR 分别 为 9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近 5 年增 速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升。 DRAM 是存储器第一大市场，周期波动性最强，历史成长性最优。 1）市场规模：2021/2020/2019 年全球 DRAM 市场规模为 930/643/625 亿美金，占存储的比例为 61%/55%/59%，是存储第一大细分品类。 2）周期波动：DRAMNANDNor 及其他，DRAM 周期波动性大于存储平均水 平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场。 3）成长性：从 2009-21 年、2011-21 年、2016-21 年存储器各细分品类 CAGR 看，DRAMNANDNor 及其他，DRAM 成长性大于存储平均水平，且近 5 年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升。 DRAM 属于半导体存储器，是易失性存储器的一种，主要用于电子设备 的内存。半导体存储器分为非易失性存储器和易失性存储器，非易失性 存储器在断电时仍然可以保存数据，包括 NAND Flash、NOR Flash 等， 易失性存储器在断电状态下数据会丢失，包括动态随机存储器（DRAM） 和静态随机存储器（SRAM）。在易失性存储器中，DRAM 和 SRAM 的 应用场景各有不同。SRAM 的读写速度在所有的存储器中最快，但同时 制造成本高，常用于对容量要求较小的高速缓冲存储器，如 CPU 的一 级、二级缓存等。DRAM 利用电容储存电荷的多少存储数据，需要定时 刷新电路克服电容的漏电问题，读写速度比 SRAM 慢，但快于所有的只 读存储器（ROM），且集成度高、功耗低、体积小，制造成本低，常用于容量较大的主存储器，如计算机、智能手机、服务器的内存等。除半 导体存储器外，按照存储介质的不同，存储器还包括光学存储器和磁性 存储器。光学存储器根据激光等特性进行数据存储，常见的有 DVD、 CD 等，磁性存储器利用磁性特征进行数据存储，常见的有磁盘、软盘 等。 同步 DRAM 速度更快，替代异步 DRAM。按照 RAM 和 CPU 是否同频，DRAM 可分为同步 DRAM（Synchronous DRAM，简称 SDRAM）和异步 DRAM （Asynchronous DRAM）。在异步 DRAM 中，CPU 与 RAM 之间没有公共的时 钟信号，当 RAM 不能及时提供数据时，CPU 需等待内存数据，这严重影 响性能。为解决该问题，同步 DRAM 应运而生，在 RAM 中加入时钟输入引 脚，使得 CPU 与 RAM 之间有公共的时钟信号、实现同步，此时 CPU 无需 等待数据，读写速度加快、数据的传输效率大幅提升。异步 DRAM 通常适 用于低速存储系统，但不适用于现代高速存储系统，在 1996-2002 年期 间，同步 DRAM 逐步取代了异步 DRAM，逐步占领了内存市场。 同步 DRAM 不断迭代，新 DDR 逐步替换老 DDR 是行业规律。根据时钟边 沿读取数据，同步 DRAM 分为 SDR（Single Data Rate）和 DDR(Double Data Rate)技术，在 2003 年之后，SDR SDRAM（有时也简称为 SDRAM）逐渐 被存取速度更快的 DDR SDRAM 取代。DDR SDRAM 已经发展至第五代，分 别是：第一代 DDR SDRAM，第二代 DDR2 SDRAM，第三代 DDR3 SDRAM，第 四代 DDR4 SDRAM，第五代 DDR5 SDRAM。每一次迭代，基本都能实现芯片 性能翻倍，当新一代性能更好的 DDR 出现时，老一代 DDR 会逐渐被替代。 代数越高，功耗越低，传输速率和理论容量越高，每一代较前一代性能 翻倍。相较 1997 年发布的 SDR SDRAM，后面每一代 DDR SDRAM 在功耗、 容量和传输速率上都不断改进，顺应电子设备大容量、省电、低功耗的 发展趋势。其中，容量提升是来自芯片集成度的提高，传输速率的提升 主要是来自预取倍数的增加。1）功耗方面，从 SDR 支持的 3.3