渭南师范学院第章电力电子器件.pptVIP

在换向速度 (寄生二极管反向电流变化率)一定时，CSOA由漏极正向电压UDS(即二极管反向电压UR)和二极管的正向电流的安全运行极限值IFM来决定。 2.6.2 电力场效应晶体管的特性与主要参数 图2.6.7 VDMOS的 CSOA曲线 3、安全工作区 ③　换向安全工作区(CSOA) 换向安全工作区(CSOA)是器件寄生二极管或集成二极管反向恢复性能所决定的极限工作范围。 如图2.6.7所示 第九十四页，共一百五十六页。 2.1 、电力电子器件的基本模型 2.2 、电力二极管 2.3 、晶闸管 2.4 、可关断晶闸管 2.5 、电力晶体管 2.6 、电力场效应晶体管 2.7 、绝缘栅双极型晶体管 2.8 、其它新型电力电子器件 2.9 、电力电子器件的驱动与保护 第二章、电力电子器件 第九十五页，共一百五十六页。 2.7 、绝缘栅双极型晶体管 IGBT：绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 。 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。 第九十六页，共一百五十六页。 2.7.1 绝缘栅双极型晶体管 及其工作原理 2.7.2 缘栅双极型晶体管的 特性与主要参数 2.7 、绝缘栅双极型晶体管 第九十七页，共一百五十六页。 2.7.1 绝缘栅双极型晶体管及其工作原理 1. IGBT的结构 IGBT的结构如图2.7.1(a)所示。 简化等效电路如图2.7.1(b)所示。 电气符号如图1.7.1（c）所示 它是在VDMOS管结构的基础上再增加一个P+层，形成了一个大面积的P+N结J1，和其它结J2、J3一起构成了一个相当于由VDMOS驱动的厚基区PNP型GTR; IGBT有三个电极: 集电极Ｃ、发射极Ｅ和栅极Ｇ; 图2.7.1 IGBT的结构、简化等 效电路 与电气符号 第九十八页，共一百五十六页。 IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。 导通：UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 2.7.1 绝缘栅双极型晶体管及其工作原理 图2.7.2 IGBT伏安特性 2.IGBT的工作原理 第九十九页，共一百五十六页。 2.7.1 绝缘栅双极型晶体管 及其工作原理 2.7.2 缘栅双极型晶体管的 特性与主要参数 2.7 、绝缘栅双极型晶体管 第一百页，共一百五十六页。 2.7.2 缘栅双极型晶体管的特性与主要参数 （1）IGBT的伏安特性（如图a) 反映在一定的栅射电压UGE下器件的输出端电压UCE与电流Ic的关系。 IGBT的伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。 图2.7.2 IGBT的伏安特性和转移特性 1、IGBT的伏安特性和转移特性 第一百零一页，共一百五十六页。 UGEUGE(TH)(开启电压,一般为3～6V) ；其输出电流Ic与驱动电压UGE基本呈线性关系； 图2.7.2 IGBT的伏安特 性和转移特性 2.7.2 缘栅双极型晶体管的特性与主要参数 1、IGBT的伏安特性和转移特性 （2）IGBT的转移特性曲线（如图b） IGBT关断： IGBT开通： UGEUGE(TH)； 第一百零二页，共一百五十六页。 2、IGBT的开关特性 （1）IGBT的开通过程： 从正向阻断状态转换到正向导通的过程。 开通延迟时间td(on) ： 从10%UGEM到10%ICM所需时间。 电流上升时间tr ： IC从10%ICM上升至90%ICM所需时间。 开通时间ton ： ton = td(on) + tr 2.7.2 缘栅双极型晶体管的特性与主要参数 图2.7.3 IGBT的开关特性 第一百零三页，共一百五十六