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逻辑设计技术
; 第一节 MOS管的串、并联特性
晶体管的驱动能力是用其导电因子β来表示的,β值???大,其驱动能力越强。多个管子的串、并情况下,其等效导电因子应如何推导?
一、两管串联:
;设:Vt相同,工作在线性区。
将上式代入(1)得:
由等效管得:
;比较(3)(4)得:
同理可推出N个管子串联使用时,其等效增益因子为:
;二、两管并联:
同理可证,N个Vt相等的管子并联使用时:
; 第二节 各种逻辑门的实现
一、与非门:
;与非门电路的驱动能力
在一个组合逻辑电路中,为了使各种组合门电路之间能够很好地匹配,各个逻辑门的驱动能力都要与标准反相器相当。即在各种工作条件下,各个逻辑门的驱动能力至少不低于标准反相器的驱动能力。
设:标准反相器的导电因子为:βn=βp
;设:与非门的导电因子为:βn1=βn2=β’n βp1=βp2=β’p
(1)a,b=1,1时,下拉管的等效导电因子:βeffn=β’n/2
(2)a,b=0,0时,上拉管的等效导电因子:βeffp=2β’p
(3)a,b=1,0或0,1时,上拉管的等效导电因子:βeffp=β’p
综合以上情况,驱动能力最低的工作情况是(1)(3),应使:
βeffp=βp =β’p ;βeffn=βn =β’n/2
即要求p管的沟道宽度比n管大1.25倍以上。;二、或非门:
;设:或非门的导电因子为:βn1=βn2=β’n βp1=βp2=β’p
(1)当a,b=0,0 时,上拉管的等效导电因子:βeffp=β’p/2
(2)当a,b=1,1时,下拉管的等效导电因子:βeffn=2β’n
(3)当a,b=1,0或0,1时,下拉管的等效导电因子:βeffn=β’n
综合以上情况,在驱动能力最低的工作情况(1)(3),应使:
βeffp=β’p/2=βp ;βeffn=β’n=βn
即: β’p=2β’n
所以 W’p/W’n=2μn/μp
≈2?2.5=5
即要求p管的宽度要比n管宽度大5倍。
;三、CMOS与或非门:
;(1)a,b,c,d=0,0,0,0 时:βeffp=β’p
(2)a,b,c,d=1,1,1,1时: βeffn=β’n
(3)a,b,c,d有一个为1时:βeffp=2β’p/3
(4)a,b,c,d=1,1,0,0 或
a,b,c,d=0,0,1,1时: βeffn=β’n/2
(5)a,b,c,d=0,1,0,1或
1,0,1,0或
0,1,1,0或
1,0,0,1时: βeffp=β’p/2
综合以上情况,在驱动能力最低的工作情况(4)(5),应使:
βeffp=β’p/2=βp
βeffn=β’n/2=βn
则: W’p/W’n=μn/μp≈2.5
;结 论;CMOS组合逻辑单元;;练 习;步 骤;作 业;四、CMOS传输门
(1)单管传输门
一个MOS管可以作为一个开关使用,电路中Cl是其负载电容。
当Vg=0时,T截止,相当于开关断开。
当Vg=1时,T导通,相当于开关合上。;Vi〈Vg-Vt时:输入端处于开启状态,设初始时Vo=0,则Vi刚加上时,输出端也处于开启状态,MOS管导通,沟道电流对负载电容Cl充电,至Vo=Vi。
Vi≥Vg-Vt时:输入沟道被夹断,设此时Vo〈Vg-Vt,则Vi刚加上时,输出端导通,沟道电流对Cl充电,随着Vo的上升,沟道电流逐渐减小,当Vo=Vg-Vt时,输出端也夹断,MOS管截止,Vo保持Vg-Vt不变。
综上所述:
ViVg-Vt时,MOS管无损地传输信号
Vi≥Vg-Vt时,Vo=Vg-Vt信号传输有损失,为不使Vo有损失需增大Vg。;(2)CMOS传输门
为了解决NMOS管在传输时的信号损失,通常采用CMOS传输门作为开关使用。它是由一个N管和一个P管构成。工作时,NMOS管的衬底接地,PMOS管的衬底接电源,且NMOS管栅压Vgn与PMOS管的栅压Vgp极性相反。;Vgp=1,Vgn=0时:双管截止,相当于开关断开;
Vgp=0,vgn=1时:双管有下列三种工作状态:
ViVgn+Vtn N管导通,
Vi Vgp+|Vtp| P管截止,
Vi通过n管对Cl充电至:Vo=Vi
ViVgn+Vtn N管导通,
ViVgp+|Vtp| P管导通,
Vi通过双管对Cl充电至:Vo=Vi
Vi Vgn+Vtn N管截止,
Vi Vgp+|V
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