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第1页,共22页,编辑于2022年,星期五 使chamber达到真空条件,一般控制在(2~5)E-5torr chamber内通入Ar(氩气),并启动DC power Ar发生电离 Ar ? Ar+ + e- 在电场作用下,electrons(电子)会加速飞向anode(阳极) 在电场作用下,Ar+会加速飞向阴极的target(靶材),target粒子及二次电子被击出,前者到达substrate(基片)表面进行薄膜成长,后者被加速至阴极途中促成更多的电离。 垂直方向分布的磁力线将电子约束在靶材表面附近,延长其在等离子体中的运动轨迹,提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率的作用。 接地 -V(DC) 至真空泵 Ar 磁控溅射镀膜-溅射原理 第2页,共22页,编辑于2022年,星期五 磁控溅射镀膜-磁控阴极 第3页,共22页,编辑于2022年,星期五 相对蒸发镀,磁控溅射有如下的特点: 膜厚可控性和重复性好 薄膜与基片的附着力强 可以制备绝大多数材料的薄膜,包括合金,化合物等 膜层纯度高,致密 沉积速率低,设备也更复杂 第4页,共22页,编辑于2022年,星期五 按照电源类型可分为: 直流溅射: 中频溅射: 射频溅射: 第5页,共22页,编辑于2022年,星期五 不同溅射方式的比较 DC电源 RF电源 MF电源 可镀膜材料 导电材料 非导电材料 非导电材料 靶材形状 平面单靶 平面单靶 孪生靶 频率 0 HZ 13.65MHZ 24 KHZ 可靠性 好 较好 较好 第6页,共22页,编辑于2022年,星期五 磁控溅射镀膜 第7页,共22页,编辑于2022年,星期五 磁控溅射镀膜 第8页,共22页,编辑于2022年,星期五 反应溅射 在溅射镀膜时,有意识地将某种反应性气体如氮气,氧气等引入溅射室并达到一定分压,即可以改变或者控制沉积特性,从而获得不同于靶材的新物质薄膜,如各种金属氧化物、氮化物、碳化物及绝缘介质等薄膜。 直流反应溅射存在靶中毒,阳极消失问题,上个世纪80年代出现的直流脉冲或中频孪生溅射,使反应溅射可以大规模的工业应用。 第9页,共22页,编辑于2022年,星期五 反应溅射模拟图 第10页,共22页,编辑于2022年,星期五 中频孪生反应溅射 第11页,共22页,编辑于2022年,星期五 反应溅射的特点 反应磁控溅射所用的靶材料(单位素靶或多元素靶)和反应气体(氧、氮、碳氢化合物等)通常很容易获得很高的纯度,因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。 反应磁控溅射中调节沉积工艺参数,可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜,从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。 反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高,而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热,因而对基板材料的限制较少。 反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜,并能实现对镀膜的大规模工业化生产。 第12页,共22页,编辑于2022年,星期五 反应溅射的应用 现代工业的发展需要应用到越来越多的化合物薄膜。 如光学工业中使用的TiO2、SiO2和TaO5等硬质膜。 电子工业中使用的ITO透明导电膜,SiO2、Si2N4和Al2O3等钝化膜、隔离膜、绝缘膜。 建筑玻璃上使用的ZNO、SnO2、TiO2、SiO2等介质膜 第13页,共22页,编辑于2022年,星期五 真空系统的基本知识 真空的定义:压力低于一个大气压的任何气态空间,采用真空度来表示真空的高低。 真空单位换算:1大气压≈1.0×105帕=760mmHg(汞柱)=760托 1托=133.3pa=1mmHg 1bar=100kpa 1mbar=100pa 1bar=1000mbar 第14页,共22页,编辑于2022年,星期五 TCO玻璃=Transparent Conductive Oxide 镀有透明导电氧化物的玻璃 TCO材料: SnO2:F(FTO fluorine doped tin oxide氟掺杂氧化锡) ZnO:Al(AZO aluminum doped zinc oxide铝掺杂氧化锌) In2O3:Sn(ITO indium tin oxide 氧化铟锡) 第15页,共22页,编辑于2022年,星期五 TCO薄膜的种类及特性 TCO薄膜为晶粒尺寸数百纳米的多晶层,晶粒取向单一。目前研究较多的是ITO、FTO和AZO。电阻率达10-4Ω?cm量级,可见光透射率为80%~90%。 FTO(SnO2︰F):电阻率可达5.0×10-4Ω?cm,可见光透过率>80%。 ITO(In2O3︰Sn):电阻率可达7.0×10-5Ω?cm ,可见光透过率>85% 。 AZO(ZnO︰Al):电阻率可达1.5×10-4Ω?
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