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静态随机存储器试验试验报告 LT **高校 试验（实训）报告 试验名称所属课程 所 在 系 班 级 学 号 姓 名 指导老师试验日期 运算器、存储器 计算机组成与结构计算机科学与技术 **高校试验（实训）报告 试验 静态随机存储器试验 试验目的 把握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法。 试验内容 给存储器的 00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、14H、15H，再依次读出数据。 试验设备 TDN-CM++计算机组成原理教学试验系统一台，排线若干。 试验原理 试验所用的静态存储器由一片 6116（2K× 8bit）构成（位于 MEM 单元），如图 2-1 所示。 6116 有三个把握线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线），其功能如下图，当片选有效（CS=0） 1 试验步骤 PC AR 单 元 IN 单元 把握总线 LDAR IN_B RD WR RD IOM 时序与操作台单元TS1 TS2 时序与操作台单元 TS1 TS2 30HZ 把握总线 T1 T2 T3 T4 地址总线 数据总线 XA7 . . . XA0 XD7 . . . XD0 CLK0 TS3 TS4 . . . . . . CPU内总线 D7 . . . D0 A7 . . . A0 MEM单元 D7 . . . D0 WR RD . . . . . . . . . . . . D7 . . . D0 D7 . . . D0 XMWR XMRD LDAR CON 单元 IOR WR RD IOM 关闭试验系统电源，按图 2-5 连接试验电路，并且检查无误。 将时序与操作台单元的开关 KK1、KK3 设置为运行档、开关 KK2 设置为“单步”档。 将 CON 单元的 IOR 开关置为 1，打开电源开关。 给存储器的 00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、 **高校试验（实训）报告 14H、15H。由于数据和地址由同一个数据开 关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为： 先关掉存储器的读写（WR=0，RD=0），数据开关输出地址（IOR=0），然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1），按动 ST 产Th T3脉冲，即将地址写入到 AR 中。 再写数据，具体操作步骤为：先关掉存 储器的读写（WR=0，RD=0）和地址寄存器门控信号（ LDAR=0），数据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（WR=1，RD=0，IOM=0），按动 ST 产Th T3 脉冲，即将数据打入到存储器中。 写存储器流程如 2-6 所示（以 00 地址 单元写入 11H 为例）： IN单元置地址 IN单元置地址 地址打入AR IN单元置数据 地址打入MEM WR RD IOM IOR = 0 = 0 = 0 = 0 WR = 0 RD = 0 IOM = 0 IOR = 0 WR RD IOM IOR = 0 = 0 = 0 = 0 WR = 1 RD = 0 IOM = 0 IOR = 0 LDAR = 0 LDAR = 1 LDAR = 0 LDAR = 0 T3 = T3 = **高校试验（实训）报告 图 2-6 写存储器流程图 依次读出第 00、01、02、03、04 号单元 的内容，观看上述各单元的内容是否与前面写入全都。同写操作类似，读到时候也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭 IN 单元的输出（IOR=1），然后使存储器处于读状态（WR=0，RD=1，IOM=0），此时数据总线上的的数就是从存储器当前地址中读出的数据内容。 读存储器的流程如下图 2-7 所示（以从 00 地址单元读出 11H 为例）： 试验结果 图 2-7 读存储器流程图 IN IN单元置地址 地址打入AR 关闭IN单元输出 （********） 读出MEM数据 WR RD IOM IOR = 0 = 0 = 0 = 0 WR = 0 RD = 0 IOM = 0 IOR = 0 WR = 0 RD = 0 IOM = 0 IOR = 1 WR = 0 RD = 1 IOM = 0 IOR = 1 LDAR = 0 LDAR = 1 LDAR = 0 LDAR = 0 T3 = 0 给存储器的 00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、14H、15H, 2 **高校试验（实训