集成电路制造工艺-干法刻蚀技术.pptxVIP

干法刻蚀技术 干法刻蚀 干法刻蚀是利用离子或活性基，将未被掩蔽膜覆盖的薄膜刻蚀，得到所需要薄膜图形的技术，由于其刻蚀不涉及溶液，所以称为干法刻蚀；刻蚀精度：亚微米。 第一模块 干法刻蚀类型及特点 干法刻蚀工艺类型 1 2 物理刻蚀 化学刻蚀 物理化学性刻蚀 干法刻蚀类型及特点 1 2 干法刻蚀类型及特点 1.物理刻蚀 物理刻蚀是利用辉光放电，将气体（比如：氩气）电离成带正电的离子 ，再用偏压加速离子，轰击待刻蚀薄膜的表面，将待刻蚀薄膜的原子轰击出去，形成刻蚀图形。 轰击离子 轰击掉的薄膜原子 待刻蚀薄膜 掩蔽膜 物理刻蚀示意图 物理刻蚀器件图 1 2 干法刻蚀类型及特点 1.物理刻蚀 物理刻蚀的特点： （1）纯粹的机械过程，对所有材料都可实现强的各项异性刻蚀； （2）材料选择比差； （3）刻出物易再淀积； （4）易对下面材料的结构造成损伤； （5）单片刻蚀。 1 2 干法刻蚀类型及特点 2.化学刻蚀 化学刻蚀是利用等离子体，将刻蚀气体电离，生成活性基，活性基扩散到待刻蚀薄膜表面后与待刻蚀薄膜表面的原子反应生成具有挥发性的反应产物，形成刻蚀图形，反应产物则被真空系统抽走。 活性基 挥发性反应产物 掩蔽膜 化学刻蚀示意图 化学刻蚀器件图 待刻蚀薄膜 1 2 干法刻蚀类型及特点 化学刻蚀的特点： （1）主要依靠化学反应进行刻蚀，选择性好； （2）离子的能量很小，各向异性差； （3）对基底的损伤小； （4）刻蚀速度低。 2.化学刻蚀 1 2 干法刻蚀类型及特点 3.物理化学性刻蚀 物理化学性刻蚀是指物理性的离子轰击和化学反应相结合的刻蚀方法。 掩蔽膜 物理化学性刻蚀示意图 待刻蚀薄膜膜 轰击离子 活性基 反应生成物 离子轰击的作用： 破坏待刻蚀薄膜表面的原子键； 打掉再淀积于待刻蚀表面的产物或聚合物，使待刻蚀表面与刻蚀气体接触。 1 2 干法刻蚀类型及特点 物理化学性刻蚀特点： （1）选择比较高 （2）各向异性较好 （3）刻蚀速度较快 3.物理化学性刻蚀 影响干法刻蚀的因素 1 2 刻蚀气体的种类、流量及其配比 产生等离子体的射频功率 温度 负载效应 干法刻蚀类型及特点 1 2 干法刻蚀工艺过程及特点 1 2 干法刻蚀类型及特点 【作用】在干法刻蚀过程中，用于判断刻蚀停止的最佳位置，减少对刻蚀停止层的过度刻蚀。 刻蚀终点的检测 【常用方法】使用光发射谱分析仪，各种等离子体会发出某些特定波长的光，通过分析发光强度的变化，检测刻蚀是否达到终点。 第二模块 常见薄膜的干法刻蚀 1 2 工艺流程： 在刻蚀机的容器内充入CF4，高能电子轰击CF4，产生离子、原子团和原子等； SiO2与F反应生成易挥发的SiF4和O原子； SiO2与CF2反应生成易挥发的SiF4和CO； Si与F反应生成易挥发的SiF4。 常见薄膜的干法刻蚀 e- + CF4 → 2F + CF2 + e- SiO2 + 4F → SiF4 + 2O Si + 4F → SiF4 SiO2 + 2CF2 → SiF4 + 2CO 此外，也可以使用三氟甲烷（CHF3）与氯气（Cl2）的混合等离子体刻蚀SiO2。 1 2 常见薄膜的干法刻蚀 Si3N4干法刻蚀的气体主要是CF4和氧气、氮气的混合气体，氧气和氮气是用来提高刻蚀选择比。 其它用于刻蚀Si3N4的气体有SiF4、CHF3和NF3等。 用于刻蚀SiO2的方法都可用来刻蚀Si3N4，由于Si-N键强于Si-O键和Si-Si键，如采用CF4或其他含氟的气体等离子体刻蚀Si3N4，则刻蚀速率低。 1 2 常见薄膜的干法刻蚀 CF4虽然能对Si和SiO2进行刻蚀，但不适用于对Si、SiO2刻蚀选择性要求较高的工艺，此时可选用含氯的气体进行刻蚀。 刻蚀气体：Cl2、SiCl4、HCl等 e- + Cl2 → 2Cl + e- Si + 4Cl → SiCl4 电子轰击氯分子产生氯原子，氯原子与硅反应生成易挥发的四氯化硅。 1 2 常见薄膜的干法刻蚀 刻蚀气体：SiCl4、CCl4等气体与氯气的混合气体。 在实际应用中常在Cl2中添加BCl3，其目的是： 1. Al的表面易被空气中的氧和水汽氧化，添加的BCl3极易与空气中的氧和水汽反应，消耗氧和水汽； 2. BCl3在等离子体内形成的BCl3+是产生离子轰击的重要离子来源。 2Al + 3Cl2 → 2AlCl3 课程小结 课后思考 比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。 THANKS