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常数; 二极管模型可以用于结型二极管和肖特基势垒二极管。 4.1.1 句法 .model name d [parameters] name －－二极管模型名称。 parameters －－二极管模型参数名称和赋值。;参数;参数;4.1.2 大信号模型;4.1.3 方程式 ◆电流源 is和n决定二极管电流ID的DC特性。 非线性电流源ID等于：;◆电荷存储和电阻 二极管的电荷存储用QD来表示。 有两种电荷存储机构。; ◆温度依赖 饱和电流Is和结电势Ф0都随温度的变化而变化.;4.2 BJT;4.2.2 模型参数及参数意义;参数;参数;参数;参数;4.2.3 大信号模型;举例：有达林顿管组成的放大电路如图4.1所示。其中晶体管参数为：Is＝10-15A，βF=100, RB=50Ω, CJC0=1.8pF, τF=1.6ns, VA=100v。计算该电路的输入电阻和电压增益。;该电路的输入网单文件如下： Q1 Vdd 2 3 NPN Q2 Vdd 3 4 NPN C1 1 2 1uF Rb Vdd 2 2MEG Re 4 Gnd 500 v1 1 Gnd 0.0 AC 1.0 0.0 vdd vdd gnd 12 .model NPN NPN is=1E-15 bf=100 rb=50 cjc=1.8p tf=1.6n vaf=100 .ac dec 10 0.1 1G .print ac v(1)/I(v1) vm(4);其中： v1 1 Gnd 0.0 AC 1.0 0.0 .ac dec 10 0.1 1G 把输入信号源设置成一个幅度为单位1，相位为零的单位源，这样从输出端取出的电压或电流的幅度就代表了增益值，相位就是输出与输入之间的相位差。 .ac命令在0.1h～1G的频率范围内，每个数量级内计算10个频率点，模拟得到该电路的输入阻抗如图4.2所示，幅频特性如图4.3所示。可以看出，Ri＝1.4MΩ，电压增益Av＝0.99;图4.2 输入阻抗曲线;4.3 JFET JFET (结型场效应晶体管)模型使用Schichmann和Hodges的基本FET模型。DC特性用阈值电压和增益因子来模型化，电荷存储用两个反偏的PN结来模型化。漏和源串联电阻都包括在内。 4.3.1 句法 .model name njf | pjf [parameters] 其中： Name－－JFET模型名称。 Parameters－－JFET模型参数名称和赋值。;参数;参数;第23页/共74页;4.4 MESFET MESFET的中文名称为金属半导体场效应晶体管，通常指砷化镓晶体管。 4.4.1 句法 . model name nmf | pmf [parameters] 其中： name－－MESFET模型的名称。 Parameters －－MESFET模型的参数和参数的赋 值。 4.4.2 参数 ◆亚模型选择因子; DC参数;第26页/共74页;电容参数;噪声参数;第29页/共74页;温度依赖参数;4.4.3 大信号模型; T-Spice的MESFET模型有三个级别： ● 第一级，Curtice模型。这是基于二极管的电 容模型以及简化的Ids计算的模型。 ● 第二级，Statz模型(由Statz等人在1987年创 建的)。该模型是对Curtice模型的修正，包 括改进的电容模型和更复杂的Ids计算。 ● 第三级，这是一个HSPICE兼容的模型。该模 型能进行许多自定义。 举例： GaAs场效应晶体管反相器如图4.4所示，在100MHz频率工作。计算其输出波形。;图4.4 GaAs反相器 该电路的输入网单如下： Z1 Vdd 2 2 NMF1 area=1 Z2 2 3 Gnd NMF2 area=1;RL 2 Gnd 10k v1 3 Gnd dc -2 pulse(0 -2 0 1ns 1ns 3ns 10ns) vdd vdd gnd 5 .model NMF1 NMF(level=2 vto=-2.5 beta=65u ＋vbi=0.5 alpha=1.5) .model NMF2 NMF(level=2 vto=-2.5 beta=32.5u ＋vbi=0.5 alpha=1.5) .tran 10n 20n .print tran v(3) v(2) 输入是边沿为1ns，频率为100MHZ的脉冲，输入、输出波形如图4.5所示。其中黄色是输入波形，绿色是输出波形。;图4.5 GaAs反相