集成电路互连技术.pptVIP

第1页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 目 录 1、集成电路互连简介 2、早期和目前应用最为广泛的互连技术 3、下一代互连材料与互连技术 第2页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 1、集成电路互连简介 第3页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 1.1 什么是集成电路互连技术 所谓的集成电路互连技术，就是将同一芯片内各个独立的元器件通过一定的方式，连接成具有一定功能的电路模块的技术。 第4页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 1.2 集成电路对互连金属材料的要求 具有较小的电阻率 易于沉积和刻蚀 具有良好的抗电迁移特性 第5页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 1.3 电迁移现象： 电迁移现象是集成电路制造中需要努力解决的一个问题。特别是当集成度增加，互连线条变窄时，这个问题更为突出。 第6页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2、早期和目前应用最为广泛的 互连技术 第7页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.1 早期互连技术----铝互连 铝互连的优点： 铝在室温下的电阻率很低，与硅和磷硅玻璃的附着性很好，易于沉积与刻蚀。由于上述优点，铝成为集成电路中最早使用的互连金属材料。 第8页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.2 铝互连的不足（一）：Al/Si接触中的尖楔现象 Al Si Al/Si接触中的尖楔现象 第9页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.3 Al/Si接触的改进 Al-Si合金金属化引线 在铝中加入硅饱和溶解度所需要的足量硅，形成Al-Si 合金，避免硅向铝中扩散，从而杜绝尖楔现象。 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 掺杂多晶硅主要起隔离作用。 铝-阻挡层结构 在铝与硅之间淀积一薄层金属，阻止铝与硅之间的作用，从而限制Al尖楔问题。一般将这层金属称为阻挡层。 采用新的互连金属材料 解决Al/Si接触问题最有效的方法。 第10页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.4 铝互连的不足（二）：电迁移现象 电迁移现象的本质是导体原子与通过该导体电子流之间存在相互作用，当一个铝金属粒子被激发处于晶体点阵电位分布的谷顶的时候，它将受到两个方向相反的作用力： （1）静电作用力， （2）“电子风”作用力， 金属为良导体时，静电作用力将减小，电子风作用力将起主要作用。 第11页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.5 改进电迁移的方法 “竹状“结构的选择 “竹状“结构 常规结构 第12页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.5 目前应用最广泛的互连技术----铜互连 IBM 6层Cu互连表面结构图 第13页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.6 以Cu作为互连材料的工艺流程 淀积刻蚀停止层 淀积介质材料 光刻引线沟槽图形 刻蚀引线沟槽 去掉光刻胶 光刻通孔图形 刻蚀通孔 去掉光刻胶 去掉刻蚀停止层 溅射势垒和籽晶层 金属填充通孔 CMP金属层 第14页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 2.7 Cu互连存在的问题 a 尺寸太大 b 导电能力不符合发展需求 第15页，共21页，2022年，5月20日，14点33分，星期四