集成电路基本概念.pptVIP

第1页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 1. 晶圆 多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料。 按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高. 第2页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 2.多晶硅 多晶硅只是一种无定形硅，这是由于多晶硅生长在二氧化硅层之上，从而无法形成单晶体。 由于多晶硅是用作导体的，因此无定形性无关重要。 为了减小这层多晶硅的电阻率，通常要进行额外的注入，以产生每方块几十欧姆的薄层电容。 第3页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 3.本征半导体 在纯半导体单晶中，导带中电子全部来自于价带中电子的热激发，称之为本征半导体。 第4页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 4.掺杂半导体 掺入施主杂质（如磷、砷等）后的硅称为N型材料，其中有大量过剩电子； 掺入受主杂质（如硼）后的硅称为P型材料，其中有大量过剩空穴。 轻掺杂一般用-后缀，如n-, p-; 重掺杂用+后缀，如n+, p+。 第5页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 5.薄层电阻R□ R□ ＝ρ/t ρ:电阻率， t :厚度 ——这两个参数都由工艺决定，版图设计者无法改变 R＝ R□ *(L/W) 第6页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 6.光刻 IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路. 与每一层的光刻相关的流程都需要一块掩模板和三道工序： 在晶片上涂上光刻胶 对准掩模板并进行曝光 刻蚀曝光后的光刻胶 第7页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 光刻步骤 第8页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 7.氧化 二氧化硅是将裸露的硅片放在1000℃左右的氧化气氛（如氧气）中“生长”而成的。 其生长速度取决于气氛的类型和压强、生长的温度以及硅片的掺杂浓度。 例：场氧化层，栅氧化层 第9页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 8.离子注入 离子注入是通过将杂质原子加速变为高能离子束，再用其轰击晶片表面而使杂质注入无掩模区域而实现的。它最常用的掺杂方法。 第10页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 9.淀积和刻蚀 淀积：多晶硅、隔离互连层的绝缘材料以及作为互连的金属层等都需要淀积。如：用化学气相淀积（CVD）生长多晶硅。 刻蚀：除去层中不用区域的方法。 “湿法”刻蚀：将硅片置于化学溶液中腐蚀（精确度低） “等离子体”刻蚀：用等离子体轰击晶片（精确度高） 反应离子刻蚀（RIE）：用反应气体中产生的离子轰击晶片 第11页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 10.器件隔离 场氧和场注入： 防止同一衬底或阱区中寄生MOS管的导通 第12页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 场氧 第13页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 场注入（沟道阻断注入） 第14页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 器件隔离（续） PN结隔离：阱和衬底，MOS管衬底和源漏间的隔离。 P衬底接最低电位，N阱接最高电位 PMOS的衬底为最高电位，NMOS的衬底为最低电位。 第15页，共21页，2022年，5月20日，1点32分，星期四