集成电路工艺之硅的晶体结构.pptVIP

返回 第29页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 §1.4 硅中的杂质 1.4.1 导体、半导体和绝缘体 导体、半导体和绝缘体 电阻率区分：导体 10-10 Ω· cm；绝缘体 108 ～1012 Ω· cm； 半导体 10-6 ～10 Ω· cm 半导体？ 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 半导体电阻率的高低与所含杂质浓度密切相关 第30页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 §1.4 硅中的杂质 本征半导体：不掺杂的半导体 本征半导体中的载流子 通过热激发产生的电子和空穴对（与温度有关） 参考P14图1.17 Si和 GaAs中本征载流子浓度与温度的关系 实际使用的半导体：在纯净的半导体中掺入某些杂质，使它的导电能力和导电类型改变。 改变的原因：掺杂半导体中某种载流子浓度大大增加 参考P15图1.18 电阻率与杂质浓度的关系 第31页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 N 型半导体（Ⅴ族元素） +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 多余电子只受P原子核库仑势的吸引，故小能量即可使其脱离P原子核的束缚成为自由电子。 处于晶格位置又能贡献电子的原子（P）称为施主杂质。 电子浓度增加导致导电能力增强。 第32页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 P 型半导体（III 族元素） +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 能提供多余空穴的杂质称为受主杂质。P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 第33页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 掺杂半导体 杂质补偿 定义：不同类型杂质对导电能力相互抵消的现象 对导电类型和导电能力的影响？ 实际应用？ PN 结 在一块半导体中，一部分掺入N型杂质，另一部分掺入P型杂质，那么在两种杂质浓度相等处就形成P-N结。 制造器件和集成电路的基础 第34页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 掺杂半导体 杂质类型： 施主、受主： 硼、磷等 特殊杂质：金（扩散速率快，作为寿命控制杂质） 玷污杂质：碳、氧 碳 会导致p-n结的过早击穿 氧 生成络合物，起施主作用 返回 第35页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 电子科技大学中山学院 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 电子科技大学中山学院 集成电路工艺之硅的晶体结构 第1页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 第2页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 第3页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中的杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.6 硅单晶生长 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 下一页 第4页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 §1.1 硅晶体结构的特点 1.1.1 晶胞 1、晶格 第5页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 简单立方 体心立方 面心立方 2、晶胞 定义：最大限度地反映晶体对称性质的最小单元 第6页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 300K时，硅的a=5.4305? ,锗的a=5.6463? 硅晶胞（金刚石结构） 两套面心立方格子沿体心对角线位移四分之一长度套构而成 2、晶胞 第7页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 1.1.2 原子密度 顶角：1/8 ； 面心：1/2 ；体心：4 一个硅晶胞中的原子数: 8*1/8+6*1/2+4=8 每个原子所占空间体积为：a3/8 硅晶胞的原子密度: 8/a3=5×1022/cm3 锗晶胞的原子密度: 8/a3=4.425×1022/cm3 原子密度：原子个数/单位体积 第8页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 1.1.3 共价四面体 一个原子在正四面体的中心，其它四个同它共价的原子位于正四面体的顶点，这种四面体称为共价四面体。 最小原子间距：即正四面体中心原子到顶角原子的距离，即晶胞对角线长的四分之一。 硅的晶体结构： 第9页，共49页，2022年，5月20日，1点32分，星期四 1.1.4 晶体内部的空隙 硅原子半径： rsi= =1.17? 硅原子体积: 单位原子在晶格中占有的体积： 空间利用率：硅原子体积/单位原子在晶格中占