集成电路工艺之化学气相淀积.pptVIP

TEOS（正硅酸四乙酯[Si(OC2H5)4] based PECVD （250-425 ℃） TEOS + O2 ? SiO2 + Products 淀积的薄膜具有更好的台阶覆盖和间隙填充特性，淀积温度低，可用来形成多层布线中金属层之间的绝缘层淀积。 可在淀积源中加入掺杂源进行掺杂 加硼酸三甲酯（TMB)可掺硼 加磷酸三甲酯（TMP)可掺磷 低温CVD氧化层（3） 第59页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 中温LPCVD淀积SiO2 LPCVD TEOS (675~ 695 ℃) TEOS SiO2 + Products TEOS代替SiH4 安全 淀积的薄膜具有更好的保形性 原因：反应物淀积后在台阶表面快速迁移 应用：作为金属淀积之前的绝缘层（多晶硅和金属层之间的绝缘层）；形成隔离层（MOSFETs的LDD） 第60页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 TEOS与臭氧混合源的SiO2淀积 特点(APCVD或LPCVD) ： 高的淀积速率 很好的保形性，Good gapfill properties the process is very sensitive to surface composition,淀积前先用PECVD法淀积薄层SiO2，保证相同的淀积速度 Film is porous and contains lots of OH，易于与空气中的水汽反应，故最上层用PECVD法淀积SiO2层作为保护 故TEOS/O3淀积的氧化层就像三明治一样夹在由两层PECVD的氧化层结构。形成三层绝缘结构。 第61页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 高温LPCVD淀积 第62页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 第63页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 6.4.2 CVD SiO2薄膜的台阶覆盖 共形台阶覆盖 非共形台阶覆盖 均匀厚度 台阶覆盖：淀积薄膜的表面几何形貌与半导体表面的各种台阶形状的关系。 保形覆盖：无论衬底表面有什么样的倾斜图形，在所有图形的上面都能淀积相同厚度的薄膜 原因：反应物在吸附、反应时有显著的表面迁移 第64页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 决定吸附原子迁移率的因素 吸附原子的种类、能量 衬底温度 离子对吸附原子的轰击 高温 LPCVD的Poly Si和Si3N4 中温LPCVD TEOS淀积的SiO2薄膜 低温 PECVD 淀积薄膜 低温 APCVD SiH4和O2生成SiO2 大部分经蒸发和溅射方法得到的材料 台阶覆盖性 第65页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 Basic Film Properties: Step Coverage Step Coverage Properties determines gapfill capabilities 第66页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 6.2.2 质量流量控制系统 进入反应室的气体流量精确可控 控制反应室的气压 直接控制气体流量，质量流量控制系统 质量流量计 阀门 气体流量单位:体积/单位时间 温度为273K，一个标准大气压下，每分钟通过的气体体积 第27页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 6.2.3 CVD反应室的热源 Kamins 2000 薄膜是在高于室温的温度下淀积的。 热壁系统：Tw=Ts 冷壁系统：TwTs Tw：反应室的侧壁温度 Ts：放置硅片的基座温度 热壁和冷壁淀积室各有优缺点，根据需要进行选择。 第28页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 第29页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 6.2.4 CVD系统的分类 常压化学气相淀积(APCVD) 低压化学气相淀积(LPCVD) 等离子增强化学气相淀积(PECVD) 第30页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 APCVD反应器的结构示意图 第31页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 第32页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 APCVD 操作简单，淀积速率高，适合介质薄膜的淀积。 易发生气相反应，产生污染 台阶覆盖性和均匀性比较差 质量输运控制淀积速率，对反应室结构和气流模式提出高的要求 第33页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 LPCVD反应器的结构示意图 第34页，共93页，2022年，5月20日，14点33分，星期四 第35页，共9