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怎么解决？？？ 第29页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 浅结的形成 为了抑制MOS晶体管的穿通电流和减小器件的短沟效应，要求减小CMOS的源/漏结的结深 形成硼的浅结较困难，目前采用的方法： 硼质量较轻，投影射程深，故采用BF2分子注入法 F的电活性、B的扩散系数高 B被偏转进入主晶轴的几率大 降低注入离子的能量形成浅结 低能下沟道效应比较明显，且离子的稳定向较差。 预先非晶化 注B之前，先用重离子高剂量注入，使硅表面变为非晶的表面层。 第30页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 注入后发生了什么……… 晶格损伤和无定型层 靶原子在碰撞过程中，获得能量，离开晶格位置，进入间隙，形成间隙－空位缺陷对； 脱离晶格位置的靶原子与其它靶原子碰撞，也可使得被碰靶原子脱离晶格位置。 缺陷的存在使得半导体中载流子的迁移率下降，少子寿命缩短，影响器件性能。 杂质未激活 在注入的离子中，只有少量的离子处在电激活的晶格位置。 第31页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 注入损伤 级联碰撞？ 简单晶格损伤 孤立的点缺陷或缺陷群（注入离子每次传递给硅原子的能量约等于移位阈能） 局部的非晶区域（单位体积的移位原子数目接近半导体的原子密度） 非晶层 注入离子引起损伤的积累 第32页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 轻离子注入 第33页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 重离子注入 第34页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 非晶层的形成 第35页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 注入后需要做什么…… 退火： 定义： 又叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火 作用 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用 消除损伤 第36页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 电子科技大学中山学院 集成电路工艺基础离子注入 第1页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 离子注入 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程，注入能量介于1KeV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm～10um。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的1012/cm2到形成绝缘埋层的1018/cm2。 相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CMOS制程，大约需要6~12个或更多的离子注入步骤。 第2页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 离子注入应用 隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断 调整阈值电压用的沟道掺杂 CMOS阱的形成 浅结的制备 在特征尺寸日益减小的今日，离子注入已经成为一种主流技术。 第3页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 使带电粒子偏转，分出中性粒子流 中性束路径 类似电视机，让束流上下来回的对圆片扫描 离子注入系统的原理示意图 第4页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 离子源是产生离子的部件。将被注入物质的气体注入离子源，在其中被电离形成正离子，经吸极吸出，由初聚焦系统，聚成离子束，射向磁分析器。 吸极是一种直接引出离子束的方法，即用一负电压（几伏到几十千伏）把正离子吸出来。 产生离子的方法有很多，目前常用的利用气体放电产生等离子体。 离子注入系统原理-离子源 第5页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 从离子源吸出的离子束中，包括多种离子。如对BCl3气体源，一般包括H+、B+、Cl+、O+、C+等。 在磁分析器中，利用不同荷质比的离子在磁场中的运动轨迹不同，可以将离子分离，并选出所需要的一种杂质离子。 被选离子通过可变狭缝，进入加速管。 离子注入系统原理-磁分析器 第6页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 离子源通过加热分解气体源如BF3或AsH3成为带正电离子（B＋或As＋）。 加上约40KeV左右的负电压，引导这些带正电离子移出离子源腔体并进入磁分析器。 选择磁分析器的磁场，使只有质量/电荷比符合要求的离子得以穿过而不被过滤掉。 被选出来的离子接着进入加速管，在管内它们被电场加速到高能状态。 离子注入系统原理 第7页，共51页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 被掺杂的材料称为靶。由加速管出来的离子先由静电聚焦透镜进行聚焦，再进行x、y两个方向的扫描，然后通过偏转系统注入到靶上。 扫描目的：把离子均匀注入到靶上。 偏转目的：使束流传输过程中产生的中性离子不能到达靶上。 注入机内的压力