集成电路设计基础工艺部分.pptVIP

集成电路设计基础工艺部分;集成电路的制造需要非常复杂的技术，它主要由半导体物理与器件专业???责研究。IC设计者可以不去深入研究，但是有必要了解芯片设计中的工艺基础知识，才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案。对于电路和系统设计者来说，更多关注的是工艺制造的能力，而不是工艺的具体实施过程。 ;*;*;工艺类型简介 根据工序的不同, 可以把工艺分成三类： 前工序、 后工序及辅助工序。 1) 前工序 前工序包括从晶片开始加工到中间测试之前的所有工序。 前工序结束时， 半导体器件的核心部分——管芯就形成了。 前工序中包括以下三类工艺： （1） 薄膜制备工艺： 包括氧化、 外延、 化学气相淀积、 蒸发、 溅射等。 （2） 掺杂工艺： 包括离子注入和扩散。 （3） 图形加工技术： 包括制版和光刻。 ;工艺类型简介 2) 后工序 后工序包括从中间测试开始到器件完成的所有工序, 有中间测试、 划片、 贴片、 焊接、 封装、 成品测试等。 3) 辅助工序 前、 后工序的内容是IC工艺流程直接涉及到的工序， 为保证整个工艺流程的进行， 还需要一些辅助性的工序， 这些工序有： ; 超净厂房技术：超净级别 1级：在1立方英尺的空间内大于0.3?m的尘埃数必须小于1个 10级、100级、1000级、10000级 超纯水（清洗）、高纯气体制备技术 高纯化学试剂 光刻掩膜版制备技术 半导体设备 材料准备技术：硅片等 管壳制备等 ;净化厂房;芯片制造净化区域走廊 ; 任何集成电路的制造都离不开衬底材料—单晶硅。制备单晶硅有两种方法：悬浮区熔法和直拉法。 悬浮区熔法是在20世纪50年代提出看并很快被应用到晶体制备技术中。用这种方法制备的单晶硅的电阻率非常高，特别适合制作电力电子器件。目前悬浮区熔法制备的单晶硅仅占有很小的市场份额。 ;“CZ法”生长单晶硅（晶体拉晶仪）;;*; 化学机械研磨技术（化学机械抛光， CMP）兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜沉积之进行。  在CMP制程的硬设备中，研磨头被用来将晶圆压在研磨垫上并带动晶圆旋转，至于研磨垫则以相反的方向旋转。在进行研磨时，由研磨颗粒所构成的研浆会被置于晶圆与研磨垫间。影响CMP制程的变量包括有：研磨头所施的压力与晶圆的平坦度、晶圆与研磨垫的旋转速度、研浆与研磨颗粒的化学成份、温度、以及研磨垫的材质与磨损性等等。 ;300mm商用直拉单晶硅;半导体产业向前发展的两大启动点:不断扩大晶圆尺寸和缩小芯片特征尺寸; 设计与工艺制造之间的接口是版图。什么是版图？它是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。 在计算机及其VLSI设计系统上设计完成的集成电路版图还只是一些图像或(和)数据，在将设计结果送到工艺线上实验时，还必须经过一个重要的中间环节：制版。所以，在介绍基本的集成电路加工工艺之前，先简要地介绍集成电路加工的掩模(Masks)及其制造。 通常我们看到的器件版图是一组复合图，这个复合图实际上是由若干个分层图形叠合而成，这个过程和印刷技术中的套印技术非常相像。; 制版的目的就是产生一套分层的版图掩模，为将来进行图形转移，即将设计的版图转移到硅片上去做准备。 制版是通过图形发生器完成图形的缩小和重复。在设计完成集成电路的版图以后，设计者得到的是一组标准的制版数据，将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备)，图形发生器（PG-pattern generator）根据数据，将设计的版图结果分层的转移到掩模版上(掩模版为涂有感光材料的优质玻璃板)，这个过程叫初缩。;*;第20页，共141页，2022年，5月20日，14点34分，星期四;5.1.2 集成电路制造前部工艺;图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射;IC由不同层次的材料组成的。每一层上的图形各不相同。在每一层上形成不同图形的过程叫光刻。 在IC工艺中制作每一层时，都需要用掩模版来确定在什么位置进行掺杂、腐蚀、氧化等。光刻是确定集成电路加工区域的一种手段，即在确定的面积上进行工艺加工。 光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩模版(Mask)上完全对应的几何图形，从而实现选择性掺杂、腐蚀、氧化等目的。 集成电路是由多个不同的层构成的(阱、扩散/注入区、