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* 五、电子束曝光 电子束曝光的特点： 电子束曝光的精度较高。电子束的斑点可以聚焦的很小，而且聚焦的景深很深，可用计算机控制，精度远比肉眼观察要高。 电子束曝光改变光刻图形十分简便。电子束曝光机是把各次曝光图形用计算机设计图形就只要重新编程。 第28页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 电子束曝光不要掩膜版。 电子束曝光设备复杂，成本较高。 制作掩膜版 第29页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 第1页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 一、光刻的定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。 二、光刻的目的：光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 第2页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 三、工艺流程： 以负胶为例来说明这八个步骤，一般可分为： 打底膜-涂胶-前烘-曝光-显影- 后烘-腐蚀-去胶。 第3页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 打底膜（六甲基二硅亚胺HMDS） 六甲基二硅亚胺HMDS反应机理 SiO2 SiO2 OH OH ＋(CH3) 3SiNHSi(CH3) 3 O-Si(CH3) 3 O-Si(CH3) 3 +NH3 第4页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 第5页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 第6页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 曝光有多种方法：光学曝光就可分为接触式、接近式、投影式、直接分步重复曝光。此外，还有电子束曝光和X射线曝光等。曝光时间、氮气释放、氧气、驻波和光线平行度都是影响曝光质量 曝光方法 第7页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 第8页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 第9页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * §2 光刻质量要求与分析 一、光刻的质量要求： 光刻的质量直接影响到器件的性能，成品率和可靠性。对其有如下要求，刻蚀的图形完整性好，尺寸准确，边缘整齐，线条陡直；图形内无针孔，图形外无小岛，不染色；硅片表面清洁，无底膜；图形套刻准确。 第10页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 光刻胶的质量和放置寿命(6个月). 颗粒0.2 ?m, 金属离子含量很少 化学稳定, 光/热稳定度 粘度 第11页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 二、光刻的质量分析： （1）影响分辨率的因素： A、光刻掩膜版与光刻胶的接触; B、曝光光线的平行度; C、掩膜版的质量和套刻精度直接影响光刻精度; D、小图形引起逛衍射; E、光刻胶膜厚度和质量的影响： F、曝光时间的影响： 第12页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * （2）针孔 （3）小岛 （4）浮胶 （5）毛刺、钻蚀 G、衬底反射影响：H、显影和刻蚀的影响： 第13页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * §3 光刻胶 光刻胶的分类和光刻胶的质量要求。 一、正胶和负胶： 根据光刻胶在曝光前后溶解特性的变化，可将分为正胶和负胶。 正胶：曝光前不可溶，曝光后 可溶 负胶：曝光前 可溶，曝光后不可溶 第14页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 二、光刻胶的感光机理 聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR胶的光交联(聚合) 第15页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 1.负性胶由光产生交联 常用负胶有聚肉桂酸酯类、聚酯类和聚烃类, 2.正性胶由光产生分解 胶 衬底 胶 衬底 胶 衬底 掩膜 曝光 胶 衬底 显影 负胶 正胶 第16页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR 常用负胶有聚肉桂酸酯类、聚酯类和聚烃类 第17页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * DNQ-酚醛树脂光刻胶的化学反应(光活泼化合物) O=S=O OR O=S=O OR N2 o o (1) (2) h? -N2 重新排列 O=S=O OR O=S=O OR c o OH c o (4) (3) +H2O 第18页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * （1）感光度 （2）分辨率 （3）抗蚀性 （4）粘附性 （5）针孔密度 （6）留膜率 （7）性能稳定 三、光刻胶的性能指标 第19页，共41页，2022年，5月20日，1点27分，星期四 * 第20页，共41页，2022年，5月20日，1点27