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3. 反应离子刻蚀（Reactive Ion Etch ，RIE ） 反应器 平行板RIE反应器 第27页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 刻蚀机理 反应离子刻蚀属于物理和化学混合刻蚀 ①进入真空反应室的刻蚀气体在射频电场的作用下分解电离形成等离子体，等离子体由高能电子、反应正离子、自由基、反应原子或原子团组成。 ②反应室被设计成射频电场垂直于被刻蚀样片表面，且射频电源电极（称为阴极）的面积小于接地电极（称为阳极）的面积时，在系统的电源电极上产生一个较大的自偏置电场。 第28页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 ③等离子体中的反应正离子在自偏置电场中加速得到能量轰击样片表面，这种离子轰击不仅对样片表面有一定的溅射作用形成物理刻蚀，而且提高了表面层自由基和反应原子或原子团的化学活性，加速与样片的化学反应。 ④由于离子轰击的方向性，遭受离子轰击的底面比未遭受离子轰击的侧面的刻蚀要快得多，达到了很好的各向异性。 第29页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 4. 高密度等离子体反应离子刻蚀 传统的RIE系统不能满足小于0.25μm高深宽比图形的刻蚀要求，于是发展了高密度等离子体RIE系统。 高密度等离子体刻蚀系统有电子回旋振荡RIE系统、电感耦合等离子体RIE 系统、磁增强RIE系统等。 高密度等离子体的离化率达到10%而传统最大0.1% 第30页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 反应器 第三个电极：ICP（Inductively Coupled Plasma）电极 优点：结构简单，成本低 三极平行板RIE反应器 第31页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 ICP-RIE 刻蚀机 ICP部分 传片腔 第32页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 高密度等离子体反应离子刻蚀的特点： 1. 等离子体中反应基密度大增加了刻蚀速率 2. 系统中引入磁场使反应离子具有高方向性，可获 得高深宽比的槽； 3. 系统的自偏压低，反应离子的能量低，因而减小 对Si片表面的轰击损伤。 第33页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 5. 终点检测 终点检测的常用方法：光发射谱法 第34页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 光发射谱法终点检测机理： 在等离子体刻蚀中，反应基团与被刻蚀材料反应的同时，基团被激发并发出特定波长的光，利用带波长过滤器的探测器，探测等离子体中的反应基团发光强度的变化来检测刻蚀过程是否结束。 第35页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 3.2干法刻蚀的应用 刻蚀材料的种类：介质、硅和金属三类 ULSI对刻蚀的挑战 1. 大直径硅片（φ200mm以上）的刻蚀均匀性 2. 深亚微米特征尺寸、高深宽比（达到6：1）的 成功刻蚀 3. 对下层材料的高选择比（50：1） 第36页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 ULSI对刻蚀的要求 1. 对不需要刻蚀的材料（主要是光刻胶和下层材料） 的高选择比 2. 可接受产能的刻蚀速率 3. 好的侧壁剖面控制 4. 好的片内均匀性 5. 低的器件损伤 6. 宽的工艺窗口 第37页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 介质的干法刻蚀 1. 氧化硅的刻蚀 工艺目的：刻蚀氧化硅通常是为了制作接触孔和通孔 工艺方法： 刻蚀气体：（CF4＋H2＋Ar＋He）或（CHF3 ＋Ar＋He） 刻蚀系统：平行板式或桶式反应离子刻蚀RIE系统，亚0.25微米以下采用ICP－RIE系统 工作压力：≤0.1Torr，亚0.25微米≤10mTorr 第38页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 刻蚀机理： 在RF作用下工艺气体分解电离： CHF3 ＋Ar＋He ＋3e→ CF3 + ＋ CF3 ＋ HF ＋ F ＋Ar+＋He+ CF3是刻蚀SiO2的主要活性基，与SiO2发生化学反应： 4CF3＋ 3SiO2 → 3SiF4 ↑＋ 2CO2 ↑＋ 2CO↑ 物理和化学混合刻蚀，物理刻蚀：Ar＋、CF3＋，化学刻蚀：CF3 H的作用：以HF的形式除去一些腐蚀Si的活性基（F原子）提高对下层Si的选择比 He的作用：做为稀释剂改善刻蚀均匀性 第39页，共56页，2022年，5月20日，1点33分，星期四 2. 氮化硅的刻蚀 工艺目的: 在CMOS工艺中，通常为了形成MOS器件的有源区和钝化窗口 工艺方法： 刻蚀