集成电路工艺基之氧化.pptVIP

Si表面无SiO2，则氧化剂与Si反应，生成SiO2 ，生长速率由表面化学反应的快慢决定。 生成一定厚度的SiO2 层，氧化剂必须以扩散方式运动到Si-SiO2 界面，再与硅反应生成SiO2 ，即生长速率为扩散控制。 干氧氧化时，厚度超过40 ? 湿氧氧化时，厚度超过1000 ? 则生长过程由表面化学反应控制转为扩散控制 第27页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 水汽氧化 第28页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 湿氧氧化 反应条件 氧化剂：高纯水（95 ℃左右）+氧气 特点： 生长速率较高 SiO2结构略粗糙 第29页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图 第30页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 热氧化法 三种氧化法比较 干氧氧化 结构致密但氧化速率极低 湿氧氧化 氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜 水汽氧化 结构粗糙---不可取 实际生产： 干氧氧化 + 湿氧氧化 + 干氧氧化 5 分钟 + （视厚度而定）+ 5 分钟 常规三步热氧化模式既保证了SiO2表面和界面的质量，又解决了生长速率问题 第31页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 2.3.2 热氧化生长动力学（1） 生长过程： 第32页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 D-G模型的使用范围 D-G模型对温度在700-1300℃范围内，压力从2×104Pa到1.01×105Pa，氧化层厚度在300-20000A之间的氧气氧化和水汽氧化都是适用的。 薄氧化层的生长模型？ 第33页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 菲克第一定律 根据稳态条件： hg是质量输运系数 ks为氧化剂与Si反应的化学反应常数 热氧化生长动力学（2） 第34页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 当氧化剂在SiO2中的扩散系数DSiO2 ﹤﹤ ksxo则Ci~0， Co ~ C*，氧化为扩散控制 当氧化剂在SiO2中的扩散系数DSiO2很大，则Ci= Co = C*/（1+ks/h），氧化为反应控制 热氧化生长动力学（3） 第35页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 SiO2不断生长，界面处的Si也就不断转化为SiO2中的成份，因此表面处的流密度： 热氧化生长速率（1） 其中：N1为每生长一个单位体积SiO2所需要氧化剂的分子个数。在氧化膜中有2.2×1022个SiO2分子/cm3，在进行氧化时，要获得一个SiO2分子，在干氧环境中需要一个氧分子，在水汽环境中需要两个水分子） 第36页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 热氧化生长速率（2） 解关系式（6）得： 微分方程（5）的解给出了SiO2的生长厚度与时间的普遍关系式（6）： （6） 其中： 第37页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 SiO2生长快慢将由氧化剂在SiO2中的扩散速度以及与Si反应速度中较慢的一个因素所决定： 当氧化时间很长(Thick oxide)，即tτ和t A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为： （抛物型规律，扩散控制） 热氧化生长速率（3） 第38页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 当氧化时间很短(thin oxide)，即（t +τ） A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为 （线性规律，反应控制） B/A为线性速率常数；B为抛物型速率常数 热氧化生长速率（4） 返回 第39页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 2.4 决定氧化速率常数的因素 氧化剂分压 氧化温度 第40页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 氧化剂分压 pg通过C*对B 产生影响，B与pg成正比关系 出现高压氧化和低压氧化来控制氧化速率 决定氧化速率常数的因素（1） 第41页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 决定氧化速率常数的因素（2） 氧化温度 温度对抛物型速率常数B的影响是通过影响氧化剂在SiO2中的扩散系数DSiO2 产生的 温度对线性速率常数B/A的影响是通过影响化学反应常数ks产生的 第42页，共73页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 温度对B及B/A的影响 图2.13温度对B的影响 图2.14温度对B/A的影响 第43页，共73页