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* 《集成电路设计基础》 * HEMT工艺 一种简单的HEMT有如上图所示的结构。在s.i. GaAs衬底上，一层薄的没有掺杂的GaAs层被一层薄（50-100nm）N掺杂的AlGaAs层覆盖，然后在其上面，再形成肖特基栅极、源极与漏极欧姆接触。由于AlGaAs（1.74 eV）和GaAs（1.43 eV）的禁带不同，在AlGaAs层的电子将会进入没掺杂的GaAs层，并留在AlGaAs /GaAs相结处附近，以致形成二维的电子气（2DEG）。 第29页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * HEMT工艺 根据图结构HEMT栅极下AlGaAs层的厚度与掺杂浓度，其类型可为增强型或耗尽型，即自然断开和自然开启。对器件的测量表明，相对于掺杂的MESFET层，它有更强的电子移动能力。 第30页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * HEMT的性能和发展 由于HEMT的优秀性能，这类器件近十年有了广泛的发展。它在许多方面取得进展，如减小栅长，优化水平和垂直结构，改善2DEG限制结构及原料系统。 HEMT传输的频率fT随栅长减小而增加，栅长越短则GaAs场效应管速度越快，至今先进HEMT工艺的栅长小于0.2?m，实验室水平小于0.1?m，但同时要考虑光刻分辨率以及减小栅长带来的栅极电阻增大的问题。栅长小于0.3?m可考虑采用蘑菇型即T型栅极。 第31页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * 4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺 CMOS工艺技术是当代VLSI工艺的主流工艺技术，它是在PMOS与NMOS工艺基础上发展起来的。其特点是将NMOS器件与PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 CMOS工艺技术一般可分为三类，即 P阱CMOS工艺 N阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 第32页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * P阱CMOS工艺 P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底，在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内，PMOS管做在N型衬底上。P阱工艺包括用离子注入或扩散的方法在N型衬底中掺进浓度足以中和N型衬底并使其呈P型特性的P型杂质，以保证P沟道器件的正常特性。 第33页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * P阱CMOS工艺 P阱杂质浓度的典型值要比N型衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有害的影响，如提高了背栅偏置的灵敏度，增加了源极和漏极对P阱的电容等。 第34页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * P阱CMOS工艺 电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖面示意图见下图。 第35页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * N阱CMOS工艺 N阱CMOS正好和P阱CMOS工艺相反，它是在P型衬底上形成N阱。因为N沟道器件是在P型衬底上制成的，这种方法与标准的N沟道MOS(NMOS)的工艺是兼容的。在这种情况下，N阱中和了P型衬底， P沟道晶体管会受到过渡掺杂的影响。 第36页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * N阱CMOS工艺 早期的CMOS工艺的N阱工艺和P阱工艺两者并存发展。但由于N阱CMOS中NMOS管直接在P型硅衬底上制作，有利于发挥NMOS器件高速的特点，因此成为常用工艺 。 第37页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * N阱CMOS芯片剖面示意图 N阱CMOS芯片剖面示意图见下图。 第38页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * 双阱CMOS工艺 随着工艺的不断进步，集成电路的线条尺寸不断缩小，传统的单阱工艺有时已不满足要求，双阱工艺应运而生。 第39页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * 双阱CMOS工艺 通常双阱CMOS工艺采用的原始材料是在N+或P+衬底上外延一层轻掺杂的外延层，然后用离子注入的方法同时制作N阱和P阱。 第40页，共63页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 * 《集成电路设计基础》 * 双