集成电路芯片封装技术芯片互连技术.pptVIP

TAB的优点 1）TAB结构轻、薄、短、小，封装高度1mm 2）TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小 3）TAB容纳I/O引脚数更多，安装密度高 4）TAB引线电阻、电容、电感小，有更好的电性能 5）可对裸芯片进行筛选和测试 6）采用Cu箔引线，导电导热好，机械强度高 7）TAB键合点抗键合拉力比WB高 8）TAB采用标准化卷轴长带，对芯片实行多点一次焊接，自动化程度高 第28页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 重庆城市管理职业学院 第二章 重庆城市管理职业学院 第二章 集成电路芯片封装技术芯片互连技术 第1页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 前课回顾 1.集成电路芯片封装工艺流程 2.成型技术分类及其原理 第2页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 引线键合技术（WB） 主要内容 载带自动键合技术（TAB） 倒装芯片键合技术（FCB） 第3页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 引线键合技术概述 引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。 第4页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 引线键合技术分类和应用范围 常用引线键合方式有三种： 热压键合 超声键合 热超声波（金丝球）键合 低成本、高可靠、高产量等特点使得WB成为芯片互连主要工艺方法，用于下列封装: ·陶瓷和塑料BGA、SCP和MCP ·陶瓷和塑料封装QFP ·芯片尺寸封装 (CSP) 第5页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。 WB技术作用机理 第6页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 超声键合：超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 。 热压键合：利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。一端是球形，一端是楔形 ，常用于Au丝键合。 金丝球键合：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量，键合时要提供外加热源。 WB技术作用机理 第7页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 球形键合 第一键合点 第二键合点 楔形键合 第一键合点 第二键合点 引线键合接点外形 第8页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 采用导线键合的芯片互连 引线键合技术实例 第9页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 不同键合方法采用的键合材料也有所不同： 热压键合和金丝球键合主要选用金（Au）丝，超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si-Al丝（Al-Mg-Si、Al-Cu等） 键合金丝是指纯度约为99.99％，线径为l8～50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度，金丝中往往加入铍(Be)或铜。 WB线材及其可靠度 第10页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 键合对金属材料特性的要求： 可塑性好，易保持一定形状，化学稳定性好；尽量少形成金属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。 WB线材及其可靠度 柯肯达尔效应：两种扩散速率不同的金属交互扩散形成缺陷：如Al-Au键合后，Au向Al中迅速扩散，产生接触面空洞。通过控制键合时间和温度可较少此现象。 第11页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 金属间化合物形成——常见于Au-Al键合系统 引线弯曲疲劳 引线键合点跟部出现裂纹。 键合脱离——指键合点颈部断裂造成电开路。 键合点和焊盘腐蚀 腐蚀可导致引线一端或两端完全断开，从而使引线在封装内自由活动并造成短路。 WB可靠性问题 第12页，共40页，2022年，5月20日，14点34分，星期四 载带自动键合（TAB）技术概述 载带自动焊(Tape Automated Bonding，TAB)技术是一种将芯片组装在金属化柔性高分子聚合物载带上的集成电路封装技术；将芯片焊区与电子封装体外壳的I/O或基板上的布线焊区用有引线图形金属箔丝连接，是芯片引脚框架的一种互连工艺。