集成电路与器件工艺原理.pptVIP

新进展:PECVD，称等离子体CVD，既是低温：100~400℃，又是低压（与LPCVD同）。可用在溅射铝层以后CVD操作，可防止铝尖楔的产生。 最主要优点：工作时加热温度低。 第94页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 APCVD的缺点： 1.硅片水平放置，量产受限，易掉渣污染。 2．反应速度受多种因素影响，反应室尺寸、气体流速、硅片位置等都会影响速度。 3．均匀性不太好。 第95页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 第96页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 F. ADI： 显微镜下检验显影质量。 G. 后烘：在烘箱中将Si片烘干。 第62页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 .刻蚀（指湿法刻蚀，干法随后再述）： 一般是在SiO2上刻出窗口： SiO2 +4 HF = SiF4 +2 H2O ； 刻Al时则是： H3PO4 + Al = AlPO4 + H2. 第63页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 AEI：刻蚀后检验。 去胶：一般是 H2SO4 + H2O2 中去胶。 但在有铝后，则在MUII（吡咯酮）中去 胶。(干法去胶在干法刻蚀中讲)。 第64页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 七.光刻的主要质量问题： 1.浮胶、钻蚀（光刻胶掀起，旁蚀刻）。 第65页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 2 .过蚀刻。 第66页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 3 蚀刻未净（小岛）。 第67页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 4 铝线过细。 5 铝线桥接。 6 瞎窗。（尤其是引线孔光刻）。 7 铝发黄。 8 对准偏差。 9 引线孔未完全覆盖。 第68页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 10. 针孔。 第69页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 .干刻工艺----光刻工艺的新进展。 ．湿法腐蚀的缺点： A.使用大量酸液，安全性差，又污染环境。 B.侧向腐蚀严重，线条做不细。 C.刻Si3N4和多晶硅时，光刻胶对H3PO4 和HNO3 + HF的耐受性不好。 第70页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 干刻原理：是利用接近真空条件下气体辉 光放电产生等离子体，其中的腐蚀性气体 的化学活性游离基与SiO2等被刻蚀表面发 生反应，且生成物是气体 。 第71页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 第72页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 A.刻SiO2：在反应室通入CF4，CHF3， C2F6，SF6，C3F8，NF3等气体，产生 F（游离基），于是： SiO2 + 4F*（游离基）= SiF4（气）+O2。 目前流行用CHF3 + Cl2来刻蚀。 通入少量 O2可加速反应。 第73页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 B.刻铝：可在反应室通入SiCl4 ,BCl3， CCl4 + Cl2，BCl3 + Cl2等气体。 于是： AL + 3Cl*（游离基）= ALCl3（气）。氟化 物不行，因不能形成气体排走。注意:刻铝 后应立即冲水或在有机溶剂中漂洗,防止氯 离子残留腐蚀铝膜. 第74页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 C.刻Si3N4：原则上刻SiO2的气体都可刻 Si3N4，但发现NF3效果较好。 于是：Si3N4 +12 F*（游离基） = 3SiF4 +2 N2。 第75页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 D.刻多晶硅：一般常用Cl2，HCl，SiCl4等 气体，氟化物气体各向异性腐蚀的选择性 差。Si +4 Cl*（游离基）= SiCl4. 第76页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 7.物理气相淀积-----铝层贱射工艺（SPUTTUER） 原理：用高能粒子（等离子体）从金属的 表面撞出原子，然后让其淀积在硅片表面 的物理过程。 第77页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 .欧姆接触的概念:线性和对称的伏安特性,接 触电阻小于材料体电阻. 第78页，共137页，2022年，5月20日，1点28分，星期四 用途:制作IC的内部条状互连线。 第79页，共137页，2022年，5月20日，1点2