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匀胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀Si3N4 去胶、清洗、场区氧化1μm Si3N4作为硅片高温局部氧化的掩蔽层 Si3N4 膜 第30页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 〈 100〉/ 〈111〉的腐蚀比达400：1 Si3N4 Si3N4作为硅片湿法腐蚀的掩蔽膜 第31页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 Si3N4作为硅芯片的保护膜 铝焊盘 钝化层 第32页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 钝化结构 SiO2 /Si PSG /SiO2 /Si Si3N4 /Si Si3N4 / SiO2 / Si 可动离子 密度(/ cm2) ＞1013 4.3×1012 6.5×1010 6.6×1010 不同材料的阻钠能力 虽然Si3N4/Si结构具有最好的阻钠能力，实际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密度，所以都采用Si3N4/ SiO2/ Si 结构。 第33页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 4.3 铝布线的优缺点 ■能长期工作 优点 ■ 同硅或多晶硅能形成欧姆接触 ■ 电阻率能满足微米和亚微米电路的要求 ■ 与 SiO2 有良好的附着性 ■ 台阶的覆盖性好 ■ 易于淀积和刻蚀 ■易于键合 第34页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 缺点 ■ 在大电流密度下容易产生金属离子 电迁移现象，导致电极短路。 ■ 铝硅之间容易产生“铝钉”，深度可 达1μm，所以对于浅结工艺很容易造 成PN结短路。 第35页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 5.1 溅射 根据采用的电源种类，等离子体溅射有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。 直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上的原子溅射到阳极的硅片上。 5. 等离子体加工技术小结 第36页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 第1页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 1. 高温氧化工艺 1.1 硅的热氧化 硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧气或水进行反应，生成SiO2 。 硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三种。 第2页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 如果氧化前已存在厚度为 t0 的氧化层，则（3-11）微分方程的解为：（tOX ：是总的氧化层厚度） （4- 12） 式中 在各种工艺条件下，参数A和B都是已知的，t 是氧化时间。τ 是一个时间参数，单位是小时（h）。 （3- 13） 1.2 硅热氧化的厚度计算 第3页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 3.2 热氧化原理和方法 O2 扩散 反应 SiO2 Si Si + O2 = SiO2 硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生成SiO2 。 第4页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 1.3 不同的热氧化方式生长的 SiO2 膜性质比较 ● 干氧氧化的 SiO2 膜结构致密，干燥、均匀 性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好， 与光刻胶的接触良好，光刻时不易浮胶。 ● 水汽氧化的 SiO2 膜结构疏松，表面有斑点 和缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差， 所以在工艺中很少单独采用。 第5页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 ● 湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生长的 SiO2 膜，但它具有生长速率快的优点，其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使 SiO2 膜与光刻胶接触不良，光刻时容易浮胶。同时，湿氧氧化后的 Si 片表面存在较多的位错和腐蚀坑。 第6页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 在实际工艺应用中，生长高质量的几百? 的SiO2薄膜一般采用干氧的方式。 SiO2薄膜厚度需要几千?以上时，一般采用干氧—湿氧—干氧的方式，既保证了所需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。 ●热氧化生长的SiO2薄膜质量好，但是反应温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。 第7页，共47页，2022年，5月20日，1点30分，星期四 ● 离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和浓度，所以可以制备理想的杂质分布。 离子注入的优点 2. 离子注入 第8页，共47页，2022年，5月20日