集成电路工艺基之扩散.pptVIP

电子科技大学中山学院 第1页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 杂质掺杂 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅 掺杂工艺：扩散、离子注入 第2页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散 第3页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散 70年代初期以前，杂质掺杂主要通过高温的扩散实现。 杂质原子通过气相源或氧化物源扩散或淀积到硅晶片的表面。 杂质浓度从表面到体内单调下降 杂质分布主要是由温度和扩散时间决定 可用于形成深结（deep junction），如CMOS中的双阱（twin well） 第4页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 离子注入 第5页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 离子注入 从70年代初开始，掺杂的操作改由离子注入完成 掺杂原子以离子束的形式注入半导体内 杂质浓度在半导体内有峰值分布 杂质分布主要由离子质量和离子能量决定 用于形成浅结（shallow junction），如MOSFET中的漏极和源极 第6页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散机构 间隙式扩散 定义：杂质离子位于晶格间隙 杂质：Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 势能极大位置：相邻的两个间隙之间 势垒高度Wi：0.6~1.2eV 间隙杂质的振动能在室温时，只有0.026eV；1200 ℃时为0.13eV，因此间隙杂质靠热涨落越过势垒 跳跃率： Pi 依赖于温度 第7页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散机构 第8页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散机构 替位式扩散 定义：杂质离子占据硅原子的位 杂质特点：III 、Ⅴ族元素 相邻晶格上出现空位才好进行替位式扩散 势能极大位置：间隙处 势垒高度：0.6~1.2eV 跳跃率： 近邻出现空位的几率乘以跳入该空位的几率，Pv依赖于温度 间隙式扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 第9页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散机构 第10页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 菲克第一定律 扩散是微观粒子热运动的统计结果，当杂质存在浓度梯度时，出现宏观的扩散流。杂质由高浓度区向低浓度区移动，直至浓度趋于均匀，扩散流为零。实验表明：扩散流的大小，正比于杂质的浓度梯度。 菲克第一定律: 如果在一个有限的基体中存在杂质浓度梯度，则杂质将会产生扩散运动，而且杂质的扩散方向使杂质浓度梯度变小。 第11页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散系数 扩散系数 其中：V0代表振动频率 Wv代表形成一个空位所需要的能量 Ws代表替位杂质的势垒高度 △E为扩散激活能，对替位式杂质来说，一般为3~4eV 第12页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散方程 扩散方程（菲克第二定律） 第13页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散方程 扩散方程（菲克第二定律） 经过△t时间，体积元内的杂质变化量为 体积元内杂质的变化，是由于在△t时间内，通过x处和x＋△x处的两个截面的流量差所造成 第14页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 扩散方程 扩散方程（菲克第二定律） 假定体积元内的杂质不产生也不消失，上面两式应该相等，得到 假设扩散系数D为常数（低浓度正确），得到 第15页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 恒定表面源扩散 定义：在整个扩散过程中，硅片表面的杂质浓度始终不变的扩散 边界条件和初始条件 C(0,t)=Cs ； C(∞ ,t)=0； C(x ,0)=0, x0 恒定表面源扩散的杂质分布： 第16页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 恒定表面源扩散 第17页，共40页，2022年，5月20日，1点34分，星期四 恒定表面源扩散 杂质分布形式特点 在表面浓度Cs一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。 扩到硅内的杂质数量可用高为Cs，底为2 的三角形近似； 表面浓度Cs由杂质在扩散温度下的固溶度所决定。而在900~1200 ℃内，固溶度变化不大，可见很难通过改变温度来控制Cs 第18页，