半导体物理基础 (2)2.pptVIP

半导体物理基础;Conductor 104~105 s·cm-1;（3）与温度、光照、湿度等密切相关;2 Semiconductor Materials;（2） Crystal structure;（3） Miller Indices;(2 3 6);等效晶面;<100>;（5）the angle θbetween [h1k1l1] and [h2k2l2]:;3 Energy Band Theory;对称性 E（k）=E（-k）;周期性;（2 ） Constant-Energy Surface ;（3）Brillouin Zones;First Brillouin zones for materials crystallizing in the diamond and zineblende lattices.;;;B;第20页，共78页，编辑于2022年，星期三;若等能面是椭球面，沿kx、ky、kz方向有效质量分别为：;那么：;以硅为例：;硅导带底附近等能面 是<100>方向的旋转椭 球面。;分析：;则：;;Constant-Energy Surface （等能面 ） Ge、Si、GaAs;E-k 关系图（Ge、Si） ;E-k 关系图（GaAs）;第31页，共78页，编辑于2022年，星期三;本征半导体: 是指一块没有杂质和缺陷的半导体.;第33页，共78页，编辑于2022年，星期三;*从si的共价键平面图看:;*从Si的电子能量图看:;;*从Si的电子能量图看:;（3）杂质的补偿作用;第三章 半导体中载流子的统计分布  （Carrier Statistics）;;对于Si, Ge;*分布函数f(E);*导带电子浓度n;导带的有效状态密度Nc;*状态密度：;*价带空穴浓度p0;3.施主能级上的电子浓度;*施主能级上的电子浓度nD;4.受主能级上的空穴浓度;电离了的受主杂质浓度( ionized acceptors );分析：;1. intrinsic semiconductor;结论:本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中央.;Intrinsic carrier concentration ni ：(本征载流子浓度) ;电中性方程: ;两边取对数并整理,得:;(2)中温强电离区;(本征激发不可忽略);(4)高温本征区;温 区 低温 中温 高温;（1）n ~T;（2）EF ~T;（3）EF ~掺杂（T一定，则NC也一定）;;费米积分;当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带.—半导体简并化了.; 3 杂质带导电;第68页，共78页，编辑于2022年，星期三;例题;第70页，共78页，编辑于2022年，星期三;第71页，共78页，编辑于2022年，星期三;第72页，共78页，编辑于2022年，星期三;结论：;第74页，共78页，编辑于2022年，星期三;第75页，共78页，编辑于2022年，星期三;第76页，共78页，编辑于2022年，星期三;第77页，共78页，编辑于2022年，星期三;第78页??共78页，编辑于2022年，星期三