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Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 第四种情况 考虑同时存在漂移和扩散贡献的情况， N E 辅助场 E’ 阻碍场 均匀 无渗透光照 第126页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 连续性-输运方程的形式为 方程的解为 第127页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 第128页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 第五种情况 同时包含积累项和产生项的情况，一种实际上常见的牵涉到过剩载流子与时间相关的重要情况，其物理示意如下图 第129页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 结合问题的物理含义，则有 第94页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 右侧第一项牵涉到 x1 处的产生率 G 和复合率 R ，该项为正表示载流子数增加。 第95页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 如无外部原因，只存在热产生 G0 = p0 /τ，且复合中心的作用与时间无关的话，则仅通过产生-复合机制的载流子增长速率为： 第96页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 右侧第二项 是 x1 处流入和 x1 + dx 处流出的载流子通量差，该项为正表示积累，为负表示耗损。 第97页，共184页，编辑于2022年，星期三 Chapter 3 Semiconductor Properties at Non-equilibrium Semiconductor Physics 注意：所谓通量是指单位时间内，通过单位面积的载流子数目。按照同
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