《半导体理器件物》.ppt

（3-74） 截止频率 等于从发射极到集电极的信号传播中的全部时间延迟的倒数。因而有 截止频率对工作电流的依赖关系： 1）当发射极电流增加时，发射结时间常数 变得更小，因此式（3-74）中的 增加。这说明，频率特性的改进可以通过增加工作电流来实现。 2）科尔克（Kirk）效应。 3.8晶体管的频率响应 4.截止频率 掌握概念：频率响应、共基极截止频率、共发射极截止频率、特征频率（带宽）、基区渡越时间 ＜ （3-66） （3-64） （3-68） 3.8晶体管的频率响应 教学要求 解释Kirk效应。 导出基区渡越时间公式。 分析关系式 分析公式 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 学习要求 导出基区输运因子表达式 理解理想双极结型晶体管的基本假设及其意义。 写出发射区、基区、集电区少子满足的扩散方程并解之求出少子分布。 掌握公式（3-3-6）、（3-3-7）。这两个公式有什么样的对称关系？ 掌握正向有源模式基区输运因子公式。 掌握正向有源模式基区电子电流公式（3-3-18）、（3-3-19）、（3-3-21）。 解释图3-12、图3-13。 3.4爱伯斯-莫尔方程 双极晶体管有四种工作模式，取决于发射结和集电结的偏置状况。 (1)正向有源工作模式： ?0， ?0  (2)反向有源工作模式： 0， 0 (3)饱和工作模式： ?0， ?0 (4) 截止工作模式: 0， 0 3.4.1工作模式和少子分布 基区少子满足的边界条件为 相应的边界条件为: 相应的边界条件为: 相应的边界条件为: 3.4爱伯斯-莫尔方程 此外， 0 正向有源 饱 和 截 止 反向有源 图3-14 晶体管四种不同工作模式对应的少数载流子分布 对于 的情形（3-3-5)简化为: 3.4爱伯斯-莫尔方程 （在电路分析中，不考虑（3-3-5）式和（3-3-13）式中的负号）。 （3-3-59） （3-3-13） 3.4.2 爱伯斯—莫尔（Ebers-Moll）方程 发射极注入到基极的电子电流为: 基极注入到发射极的空穴电流为: 暂时把发射结空间电荷区复合电流看作是外部电流，则 （3-4-8） 用类似的方法得到 其中 （3-4-9） （3-4-10） （3-4-11） (3-40）和（3-42）称为爱伯斯—莫尔方程，简称为 E-M 方程。 3.4爱伯斯-莫尔方程 式中 爱伯斯—莫尔模型的等效电路图 (a) 图3-15 Ebers-Moll 模型 （a）NPN一维晶体管，（b）将晶体管表示为有公共区域的背靠背连接的二极管，（c）Ebers-Moll 模型等效电路 （c） 叫做正向共基极电流增益。 叫做反向共基极电流增益。 3.4爱伯斯-莫尔方程 根据图3-14C可以写出 （3-4-1） （3-4-2） 其中 和 分别为两个二极管反向饱和电流。 端电流为： （3-4-3） （3-4-4） 联立（3-44），（3-45），（3-46）和（3-47）式得到 （3-4-5） （3-4-6） （3-48）和（3-49）式即为E-M方程 3.4爱伯斯-莫尔方程 将（3-4-8）式与（3-4-5）式比较，（3-4-10）式与（3-4-6）式比较，得到 （3-4-12） 由于 有 （3-4-13）式称为互易关系。 （3-4-13） 3.4爱伯斯-莫尔方程 以上讨论的E-M方程，只是一种非线性直流模型，通常将它记为 模型。在 模型的基础上计及非线性电荷贮存效应和欧姆电阻，就构成第二级复杂程度的 模型。第三级复杂程度的 模型则还包括多种二级效应，如基区宽度调制，基区展宽效应以及器件参数随温度的变化等等。 3.4爱伯斯-莫尔方程 了解E－M方程中四个参数的物理意义 根据E－M方程写出四种模式下发射极电流和集电极电流表达式。 （3-4-5） （3-4-6） 3.4爱伯斯-莫尔方程 学习要求 理解并记忆BJT四种工作模式下的少子分布边界条件 画出BJT四种工作模式下少子分布示意图。 理解写出方程（3-4-10）的根据。 根据爱拜耳斯—莫尔模型的等效电路图导出E－M方程 3.5缓变基区晶体管 均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区主要作扩散运动，又称为 扩散晶体管。 1. 2N3866晶体管的杂质分布： 距离x （?m） 图3-16 2N3866晶体管的杂质分布 缓变基区晶体管：基区掺杂近似为指