3.2 PN结的形成及特性(1).ppt

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3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动: 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 3.2.2 PN结的形成 3.2.2 PN结的形成 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差  空间电荷区形成内电场  内电场促使少子漂移  内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动  由杂质离子形成空间电荷区  如果外加电压使PN结中: P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏; PN结具有单向导电性,若外加电压使电流从P区流到N区, PN结呈低阻性,所以电流大;反之是高阻性,电流小。 P区的电位低于N区的电位,称为加反向电压, 简称反偏。 3.2.3 PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。 PN结加正向电压时的导电情况如图所示。 (2) PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强, 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流,可忽略扩散 电流,PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下, 由本征激发决定的少子浓 度是一定的,故少子形成 的漂移电流是恒定的,基 本上与所加反向电压的大 小无关,这个电流也称为 反向饱和电流。 PN结加反向电压时的导电情况如图所示。 PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流; PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。 3.2.3 PN结的单向导电性 (3) PN结V-I 特性表达式: 其中: PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下(T=300K): 3.2.4 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 3.2.5 PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 扩散电容示意图 扩散电容是由多子扩散后,在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近,形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 反之,由P区扩散到N区的空穴,在N区内也形 成类似的浓度梯度分布曲线。 3.2.5 PN结的电容效应 (2) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时,离子薄层的厚度也相应地随之改变,这相当PN结中存储的电荷量也随之变化,犹如电容的充放电。

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