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一种混合滤波器结构及MEMS芯片.pdfVIP

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  • 2022-10-25 发布于北京
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一种混合滤波器结构及MEMS芯片.pdf

    本实用新型涉及一种混合滤波器结构及MEMS芯片，涉及MEMS芯片制造工艺技术领域，该混合滤波器结构，包括Si衬底、下电极金属钼、压电层、上电极金属钼、Cu种籽层、Cu走线、凸点、铜线、IPD电感、介质层及SiO2支撑层；其优点在于：将相对单一品种的SAW滤波器、BAW滤波器、IPD滤波器组合结构能够支持更多的频段信号的多工器，同时能够集成BAW滤波器的高Q值的优势；制成的混合滤波器在满足终端产品的性能需求的同时，也可以与终端产品的高集成小尺寸的要求适配度更高。

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 217643306 U (45)授权公告日 2022.10.21 (21)申请号 202221695780.2 (22)申请日 2022.07.01 (73)专利权人 上海芯波电子科技有限公司 地址

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