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IPM 智能功率模块IPM（Intelligent Power Module），不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内置有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。IPM一般使用IGBT作为功率开关元件，内藏电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM以其高可靠性，使用方便赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，已广泛应用于变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电。 - */47 第二十九页，共五十三页。 IPM - */47 第三十页，共五十三页。 PIM - */47 第三十一页，共五十三页。 IGBT、GTR、GTO、MOSFET - */47 第三十二页，共五十三页。 整流电路 整流电路（Rectifying Circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成 1、按组成的器件可分为不可控整流电路、半控整流电路、全控整流电路 2、按电路结构可分为零式整流电路和桥式整流电路 3、按电网交流输入相数分为单相整流电路、三相整流电路、 和多相整流电路 4、单相整流电路分为：半波整流,全波整流,桥式整流及倍压整流电路等 5、三相可控整流电路有：三相半波可控整流电路，三相半控桥式整流电路，三相全控桥式整流电路。 - */47 第三十三页，共五十三页。 单相桥式整流电路 VL=0.9V2 基本电路 - */47 第三十四页，共五十三页。 单相桥式整流电路 电容滤波电路 VLmax=√2*V2 负载直流电压较高，纹波较小，适用于负载电压较高、负载变动不大的场合 - */47 第三十五页，共五十三页。 单相桥式整流电路 电感滤波电路 整流管的导电角较大，输出特性比较平坦，但电感体积大，容易引起电磁干扰。一般只适用于低电压、大电流的场合 - */47 第三十六页，共五十三页。 三相桥式整流电路 - */47 第三十七页，共五十三页。 三相桥式整流电路 三相桥式整流电路，电容滤波，电阻负载 其中Vpn为直流母线电压、Vab为线电压，Va为相电压 - */47 第三十八页，共五十三页。 2011-08-29 第一页，共五十三页。 目 录 整流电路及逆变电路 电力半导体器件 1 2 3 开关电源概述 变频器硬件体系 4 - */47 第二页，共五十三页。 电力半导体器件 变频器中常见的电力半导体器件： 1、电力二极管（Power Diode） 2、功率晶体管（ GTR --Giant Transistor）也称双极型晶体管（ BJT --Bipolar Junction Transistor） 3、场效应管（MOSFET--Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor） 4、绝缘栅门极双极性晶体管(IGBT—Insulated Gate Bipolar Transistor) 5、智能功率模块（IPM—Intelligent Power Module） 6、PIM 7、晶闸管（SCR—Sillcon Controlled Rectifier） - */47 第三页，共五十三页。 电力半导体器件分类 按照器件能够被电路信号控制的程度，可分为三类： 1、不可控型器件 不能用控制型号控制其通断，不需要驱动电路（二极管） 2、半控型器件 控制信号可控制其开通但不能控制其关断（SCR） 3、全控型器件 控制信号既可以控制开通也可以控制其关断（IGBT、MOSFET…） 按照驱动电路加在控制器件控制端和公共端之间信号的性质可分为： 1、电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制（GTR、SCR） 2、电压驱动型 通过在控制端施加一定的电压信号就可以实现导通或者关断的控制（MOSFET、IGBT） 分类： - */47 第四页，共五十三页。 电力二极管 特性：单向导电性 不可控 伏安特性 - */47 第五页，共五十三页。 电力二极管的主要参数 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)——按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 正向压降UF——在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 反向重复峰值电压URRM ——对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有两倍的裕量 反向恢复时间trr trr= td+ tf 最高工作结温TJM——结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受