半导体物理与器件-复习大纲.pptx

中北大学 梁庭 2013 09;绪论、第一章 ;半导体(semiconductor)，顾名思义就是指导电性介于导体与绝缘体的物质 ;第二章 量子力学初步;第三章 固体量子理论初步;;第三章 固体量子理论初步;第三章 固体量子理论初步;第四章 平衡半导体;对于本征半导体，费米能级位于禁带中心（附近） 费米能级的位置需保证电子和空穴浓度的相等 如果电子和空穴的有效质量相同，状态密度函数关于禁带对称。 对于普通的半导体（Si）来说，禁带宽度的一半，远大于kT（~21kT），从而导带电子和价带空穴的分布可用波尔兹曼近似来代替 ;本征载流子浓度和温度、禁带宽度的关系;为什么要掺杂？ 半导体的导电性强烈地随掺杂而变化 硅中的施主杂质与受主杂质能级;掺入施主杂质，费米能级向上（导带）移动，导带电子浓度增加，空穴浓度减少 过程：施主电子热激发跃迁到导带增加导带电子浓度；施主电子跃迁到价带与空穴复合，减少空穴浓度；施主原子改变费米能级位置，导致重新分布;掺入受主杂质，费米能级向下（价带）移动，导带电子浓度减少，空穴浓度增加 过程：价带电子热激发到受主能级产生空穴，增加空穴浓度；导带电子跃迁到受主能级减少导带电子浓度；受主原子改变费米能级位置，导致重新分布 ;载流子浓度n0和p0的公式： 只要满足玻尔兹曼近似条件，该公式即可成立 只要满足玻尔兹曼近似条件，n0p0的乘积依然为本征载流子浓度（和材料性质有关，掺杂无关）的平方。（虽然在这里本征载流子很少） 例4.5直观地说明了费米能级的移动，对载流子浓度造成的影响：费米能级抬高了约0.3eV，则电子浓度变为本征浓度的100000倍。;载流子浓度n0、p0的另一种表达方式：;发生简并的条件 大量掺杂 温度的影响（低温简并） 简并系统的特点： 杂质未完全电离 杂质能级相互交叠分裂成能带，甚至可能与带边相交叠。杂质上未电离电子也可发生共有化运动参与导电。;电中性条件 在平衡条件下，补偿半导体中存在着导带电子，价带空穴，还有离化的带电杂质离子。但是作为一个整体，半导体处于电中性状态。因而有：;;载流子浓度、掺杂浓度、费米能级之间的关系;重要的公式：;第五章 载流子输运现象;;电导率和电阻率 半导体的电阻率和电导率;右图所示为一块N型半导体材料中，当施主杂质的掺杂浓度ND为1E15cm-3时，半导体材料中的电子浓度及其电导率随温度的变化关系曲线。;扩散电流密度： 对于带电粒子来说，粒子的扩散运动形成扩散电流。 ;第六章 非平衡过剩载流子;扩散流导致的浓度变化; 式中δn是过剩少数载流子电子的浓度，而τn0则是小注入条件下少数载流子电子的寿命。 类似地，对于N型半导体材料来说，小注入条件下的双极输运方程同样可表示为：;介质弛豫时间常数;在这种情况下，决定过剩载流子浓度分布的方程主要有三个，第一个是泊松方程，即：;对电流方程求散度，并利用泊松方程：;第七章 pn结; pn结的求解过程 耗尽区假设： 空间电荷区内无自由电荷（NA>>p0、Nd>>n0） 耗尽区外为中性区（Nd=n0、NA=p0）、无电场 ;;则可以得到：;第八章 pn结二极管; 由此，我们可以得出pn结处于正偏和反偏条件时，耗尽区边界处的少数载流子分布;对于三种可能的n型区长度，下表总结了三种情况下的空穴电流密度表达式，与此类似，对于不同的p型区长度，同样可以给出三种情况下的电子电流密度表达式。;完整的小信号等效电路模型;第九章 金属半导体和半导体异质结; 肖特基接触形成 接触前 接触后;利用隧道效应制成的欧姆接触 提高表面杂质浓度，利用隧道效应制成的欧姆接触，这是目前在生产实践中主要使用的方法。;第十章 双极晶体管;实际器件结构图 先进的双层多晶硅BJT结构埋层：减小串联电阻；隔离：采用绝缘介质；;晶体管电流的简化表达形式;限制因素小结;re’为发射结的扩散电阻，Cp为发射结的寄生电容。;第十一章 MOS晶体管; 当栅电压达到表面强反型的阈值电压时，半导体衬底材料的表面势也将达到临界阈值点，即：;MOS电容结构后，外加栅压为零时，热平衡状态下的能带弯曲情况;;高频与低频条件下，MOS电容的C－V特性示意图; NMOS和PMOS两种器件的I－V特性对照表如下：;第55页，共56页。;第十二章中北大学 梁庭 2013 09;绪论、第一章 ;半导体(semiconductor)，顾名思义就是指导电性介于导体与绝缘体的物质 ;第二章 量子力学初步;第三章 固体量子理论初步;;第三章 固体量子理论初步;第三章 固体量子理论初步;第四章 平衡半导体;对于本征半导体，费米能级位于禁带中心（附近） 费米能级的位置需保证电子和空穴浓度的相等 如果电子和空穴的有效质量相同，状态密度函数关于禁带对