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模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室 2010-9 第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入 5 价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。 2、 在 N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是 饱和 区、 放大 _ 区、 截止 区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管 ，另一类称为 绝缘栅场效应管_ 。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接 N 区，电源的负极接 P 区,