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PAGE PAGE 10 晶体二极管及整流电路试题（一） 姓名 学号 一、填空 1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成 P 型半导体，又称 型半导体， 其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成 N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。 I(mA)-5000.53、如图，这是 材料的二极管的 曲线，在正向电压超过 V I(mA) -50 0 0.5 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧增大，该现象为 。若反向电压继续增大，容易发生 现象。其中稳压管一般工作在 区。 V(v) 4、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V, 锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压， 二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 6、PN 结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。 7 、 二极管的主要参数有 、 、 _ 和 ，二极管的主要特性是 。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值 都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极 管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越 好。 9、整流是指 ，单相整流电路 分 、 和 电路。 10 、 有 一 直 流 负 载 R =9 Ω ， 需 要 直 流 电 压 V =45V, 现 有 2CP21(I =3000mA,V L =100V)和 2CP33B(I =500mA, V L =50V) 两种型号的二极 FM RM FM RM 管,若采用桥式整流电路，应选用 型二极管 只。 11、稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻 r Z 越大， 说明稳压性能越 。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。它一般分为 、 和 三类， 其中的滤波效果较好。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已 ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已 。 14、如图，V 、V 为理想二极管。V 状态 ，V 状态 。V = V 1 2 1 2 AB 15、如图，V 为理想二极管。V 状态 ，V = V AB 16、图中，V 为硅二极管。1)S 与 A 接通时，V 的状态 ，V = V MN MN2)S 与 B 接通时，V 的状态 ，V = V MN 17 、如图， V 、V 为硅稳压二极管， 若 V 足够大， 则输出电压 1 2 i V = V O 二、判断题 1、( )将 P 型半导体和 N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成 PN 结。 2、（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 4、（ ）硅二极管门坎电压是 0.3V，正向压降是 0.6V。 5、（ ）硅的导通电压为 0.3V，锗的导通电压为 0.7V 。 6、（ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。 7、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 8、（ ）二极管正向使用时不能稳压。 9、（ ）变压器中心抽头式全波整流电路， 二极管承受的反向峰值电压为 2V 。 2 2 10、（ ）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。 11、（ ）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。 12、（ ）稳压二极管一般工作在反向击穿区。 13、（ ）稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。 14、（ ）稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性相同。 15、（ ）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。 16、（ ）选择整流二极管主要考虑两个参数：反向击穿电压和正向平均电流。 17、（ ）单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。 18、（ ）单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的 2 倍。 19、（ ）直流稳压电源只能在电网电压变化时使输出电压基本不变，而当负载电流变化时不能起稳压作用。 三、单项选择题 1、（ ）关于晶体二极管的正确叙述是： A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。 C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。D