一种线位移传感器的磁路结构.pdfVIP

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2023-03-13 发布于四川
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一种线位移传感器的磁路结构.pdf

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本实用新型属于线位移传感器技术，涉及一种线位移传感器的磁路结构，所述的磁路结构从内到外依次为骨架内衬、骨架挡板、导磁外壳；线圈嵌绕在骨架内衬与导磁外壳之间，骨架挡板套接在骨架内衬的两端并固定，导磁外壳套接在骨架挡板外侧，骨架挡板的外圆与导磁外壳的内径同尺寸；骨架挡板采用导磁材料，骨架挡板采用软磁合金；该结构能够增大导磁磁路的截面积，增加磁导率，减小磁阻和漏磁，使得整体导磁能力得到很大提高，有效的优化了产品的磁场，提升产品的电气性能。同时，从结构上减少了零件数量和不稳定的配合方式，从而能够有效优化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213515463 U (45)授权公告日 2021.06.22 (21)申请号 202022632758.0 (22)申请日 2020.11.13 (73)专利权人北京曙光航空电气有限责任公司