大学物理实验PN结正向压降温度特性及正向伏安特性的研究讲义.docx

PN 结正向压降温度特性及正向伏安特性的研究 一、实验目的 了解 PN 结正向压降随温度变化的基本关系式，了解用 PN 结测温的方法。 在恒流供电条件下，测绘 PN 结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度和被测 PN 结材料的禁带宽度。 了解二极管的正向伏安特性，测量波尔兹曼常数。 二、实验原理 （一）PN 结正向压降与温度的关系 理想 PN 结的正向电流 IF 和压降 VF 存在如下近似关系 qV I ? Is exp( F F ) （1） kT 其中 q 为电子电荷；k 为波尔兹曼常数；T 为绝对温度；Is 为反向饱和电流，它是一个和 PN 结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明 Is ? CT r exp[ ? qV (0) g kT ] （2） （注：（1），（2）式推导参考刘恩科 半导体物理学第六章第二节） 其中 C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数：r 也是常数；Vg(0)为绝对零度时 PN 结材料的导带底和价带顶的电势差。 将（2）式代入（1）式，两边取对数可得 ? k c ? kT V ? V (0) ? ? In ?T ? InT r ? V ? V ??F g q I q ? ? F 其中 1 n1 （3） ? k c ? V ? V (0) ? ? In ?T F1 g ? q I ? F KT ? ? V ? ? InT r n1 q 这就是 PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是 PN 结温度传感器的基本方程。令 IF=常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中，除线性项V1 外还包含非线性项Vn1 项所引起的线性误差。 设温度由 T1 变为 T 时，正向电压由 VF1 变为 V ，由（3）式可 F 得 ? ?T kT ? T ?r V ? V (0) ? V (0) ? V ? F g g F1 T 1 q 1n ? T ?1 ? ? （4） ? 按理想的线性温度影响，VF 应取如下形式： ?V V ? V ? F1 (T ? T ) （5） F理想 ?V F1 等于 T1 温度时的 F1 ?T 1 ?V F 值。 ? ?T 由（3）式可得 T ?V V ? F1 ? ? g  (0) ? V F1  ? k r （6） T T q 1 所以 V ? V ? V ? V 1g F1 1 ? k ?? T ? 理想 F1 ? ?? ? T q r? T 1 ?? ?T k ? ? ? ? V (0) ? V g g ? V F1 T ? T r T q 1 1 （7） 由理想线性温度响应（7）式和实际响应（4）式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为 ? ? V ? V ? ? k r?T ? T ?? kT T Ln( ) r （8） 理想 F q 1 q T 1 设 T1=300°k，T=310°k，取 r=3.4*,由（8）式可得?=0.048mV， 而相应的 VF 的改变量约 20mV，相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时，VF 温度响应的非线性误差将有所递增，这主要由于 r 因子所致。 综上所述，在恒流供电条件下，PN 结的 VF 对 T 的依赖关系取决于线性项 V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN 结测温的依据。必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离、 F本征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说，温度范围约-50℃—150℃)。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加； V —T 关系将产生新的非线 F 性，这一现象说明 V —T 的特性还随 PN 结的材料而异，对于宽带 F 材料（如 GaAs）的 PN 结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小（如InSb）的PN 结，则低温端的线性范围宽，对于给定的 PN 结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其线性度亦随温度的高低而有所不同，这是非线性项 Vn1 引起的，由 Vn1 对 T 的二阶导数 d 2V 1 dV n1 ? 可知 n1 的变化与 T 成反比，所以 VF-T 的 dT 2 T dT 线性度在高温端优于低温端，这是 PN 结温度传感器的普遍规律。 此外，由（4）式可知，减小 I ，可以改善线性度，但并不能从根 F 本上解决问题，目前行之有效的方法大致有两种： 1、对管的两个 be 结（将三极管的基极与集电极短路与发射极 组成一个 PN 结），分别在不同电流I ，I 下工作，由此获得两者 F1 F2 电压之差（VF1- V ）与温度成线性函数关系，即 F2 V ? V F1 F 2  ? kT In I F1 q I F 2  (9) 由于晶体管的参数有一定