MOS型功率半导体器件.pdfVIP

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2023-03-28 发布于四川
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MOS型功率半导体器件.pdf

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本实用新型公开一种MOS型功率半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分；沟槽内间隔设置有第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部，此第一栅极多晶硅部位于第二栅极多晶硅部正上方；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213988891 U (45)授权公告日 2021.08.17 (21)申请号 202022570975.1 H01L 21/762 (2006.01) (22)申请日